热压法制备Ti3SiC2陶瓷结合剂金刚石复合材料的组织结构.pdfVIP

热压法制备Ti3SiC2陶瓷结合剂金刚石复合材料的组织结构.pdf

  1. 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
  2. 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  3. 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
热压法制备Ti3SiC2陶瓷结合剂金刚石复合材料的组织结构.pdf

第20卷第 1期 粉末冶金材料科学与工程 2015年2月 Vb1.2ONO.1 MaterialsScienceandEngineeringofPowderM etallurgy Feb.2015 热压法制备 Ti3SiC2陶瓷结合N /金刚石 复合材料的组织结构 穆云超,韩警贤,刘嘉霖,郭基凤,梁宝岩,张旺玺 (中原工学院 材料与化工学院,郑州 450007) 摘 要:以Ti、si、C粉、金刚石磨料为原料,添加适量Al粉,采用热压法制各TiSiC 陶瓷结合剂 /金刚石复合 材料,通过 x射线衍射、扫描 电镜及能谱分析对该复合材料的组织结构进行观察与分析,并研究烧结温度、助熔 剂 Al含量以及金刚石浓度对复合材料的影响。结果表明,因金刚石的反应活性较差,较低温度下热压时金刚石 表面未能生长出Ti3SiC2,l300℃高温下热压形成的Ti3SiC2晶粒发育 良好;适量添加Al粉有助于Ti3SiC2的合成; 金刚石颗粒浓度从 25%增加到 50%时,金刚石参与并促进 Ti3SiC2的合成,Ti3SiC2含量明显增加;金刚石表面生 成晶型发育 良好的Ti3SiC2晶粒,实现了磨料与结合剂的化学键合,从而提高结合剂与磨料问的结合力。 关键词:TiSiC /金刚石;热压;化学键合;组织形貌 中图分类号:TG707 文献标识码:A 文章编号:1673—0224(2015)1—139—05 M icrostructureofTi3SiC2/diamondcompositematerials preparedbyhot—pressing MU Yun—chao,HAN Jing—xian,LIU Jia—lin,GUO Ji—feng,LIANG Bao—yan,ZHANG W ang—xi (MaterialsChemicalEngineeringSchool,ZhongyuanUniversityofTechnology,Zhengzhou450007,China) Abstract:TiaSiC2bondeddiamondcompositematerialswerepreparedby hot—pressingusing Ti,Si,C and diamond powdersastherawmaterials,A1astheadjuvant.Thephasecompositionandmicrostructureofpreparedcompositewere analyzedbyXRD,SEM andEDS.Effectsofsinteringtemperature,contentofA1andconcentrationofdiamondonthe microstructureofTi3SiC2bonded diamondcompositematerialswerealsostudied.Theresultsshow that,noTi3SiC2 form sonthesurfaceofdiamondatlowerhot—pressingtemperaturebecauseofthepooractivityofdiamond,thecrystal structureofTi3SiC2cangrow wellwhenhot-pressedat1300℃.appropriateA1addingisbeneficialtothesynthesisof Ti3SiC2.With increasing concentration ofdiamond from 25% to 50%,Ti3SiC2contentincreasesobviously,which demonstratesthatdiamond canparticipateandpromotetheformationofTi3SiC2.Ti3SiC2gr

文档评论(0)

o25ju79u8h769hj + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档