热等静压及热压过程中F82H钢接头界面氧化物形成及其沉淀行为研究.pdfVIP

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热等静压及热压过程中F82H钢接头界面氧化物形成及其沉淀行为研究.pdf

2014丘 国 外 核 动 力 第4期 热等静压及热压过程中F82H钢接头界面 氧化物形成及其沉淀行为研究 H.Kishimoto ,T.Ono,H.Sakasegawa~H.Tanigawa3M .Ando, , , T.Shibayam ,Y KohnoI,,A.Kohyama‘ lOASIS,室兰工业大学 ,水本町27.1室兰市,北海道 050—0071,El本: 2.室兰工业大学,水本町27.1室兰市 ,北海道 050-0071,Et本研究生院; 3.日本原子能研究开发机构,六所 ,青森县039.3212,日本; 4 北海道大学,北 区,北 l3,西 8.札幌060.8628.日本 摘要:F82H钢的焊接技术是聚变能源发展中非常重要的问题。由于热等静压 (HIP)产 品形状的灵活性,因此 HIP方法适合包层第一壁的研制。因此,计划采用 HIP用于制造一 个内置冷却流道的复杂形状的第一壁部件。因此,对于微观结构和机械性能的变化 ,尤其是 HIP接头较低的冲击韧性的研究积累是必要的。目前研究结果表明,相比热压方法制造的接 头,采用HIP方法制造的F82H接头的组织演变主要归咎于界面氧化物的形成。采用 1/3尺 寸夏比V型缺口冲击试验、透射型电子显微镜 (TEM)、扫描电子显微镜 (SEM)、电子探 针显微分析仪 (EPMA)进行F82H接头性能表征 ,其中电子探针分析主要用于界面微观接 头特征的分析。 0 前 言 类似F82H的低活化铁素体/马氏体钢 (RAFM钢)被定义为铁素体耐热钢,其中部 分化学元素被控制,从而有效减少经过 14MeV中子活化后的放射性。普通钢中半衰期 较长的化学元素,如钼 (Mo)和铌 (Nb),在RAFM钢中被置换为半衰期较短的化学元 素 (如钨、钽等)。在聚变示范堆后,RAFM 钢将被应用于聚变反应堆中J【J。采用 F82H 钢制造的第一壁计划内置冷却流道,因此具有复杂形状的矩形管材和板材需要进行连接。 由于板材较薄,管与管之间的间距狭窄,采用传统的焊接方法进行第一壁制造是非常困 难的。为了解决这个问题,将热等静压方法 (HIP)应用于制造包层盒子模型I2】。根据 报道,由于金属氧化物的生成,室温下采用HIP制造的F82H接头冲击韧性低于母材I3,7-8】。 1 试 验 研究材料采用F82H钢,其化学成分为7.87Cr-1.99W-0.20V-0.03Ta-0.12Mn。0.11Si一 0.09C (剩余为Fe)。热处理条件为:1373K/1h均匀化处理后,分别进行 1233K/0.5h 正火和 1023K/1.5h回火。从平板中切取 100mmx50mmx20mm的F82H钢板。测试试 样的表面处理方法是:研磨或采用3%HCI溶液,在293K温度下酸洗60min。将抛光 或酸洗后的F82H块拼凑成管,在 873K、真空度 1X10 Pa下除气 5h。随后将管按次序 冷弯并进行焊接。F82H钢板在 145MPa/2h、1373K条件下进行HIP连接。HIP后,在 1233K,3Omin、1033K/90min下进行焊后热处理。为了研究连接方法对其影响,进行了 一 种热压方法的测试。2块抛光后的板叠加在一起,在温度 1373K、20MPa/2h真空下 53 进行压制。HIP接头以及母材试样均从试样中切取 ,各取 1个试样 ,在 138~338K下对 l/3尺寸夏 比V 【1/3CVN (夏比V 冲击试验 )】冲击试样进行测试,从而说明接头的 冲击韧性。采用扫捕电子 微镜 (SEM)、电子探针显微分析仪 (EPMA)和透射电子显 微镜 (TEM)进行 }tIP扩散后显微组织分析,其中TEM试样采用离子研磨制备。采用 场致发射SEM和EPMA进行 ttlP界面和 1/3CVN冲击试样断裂面的表面观察。 2 结果 2.1 F82H热等静压接头

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