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法制备薄膜工艺条件的研究.pdf
第 卷 第 期 西 南 师 范 大 学 学报 (自然科学版) 年 月
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文章编号: ( )
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!# 法制备$%’ 薄膜工艺条件的研究!
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郑慧雯 , 章娴君 , 王显祥
西南师范大学 化学化工学院,重庆 ; 四川农业大学 生命科学与理学院,四川雅安
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摘要:在 陶瓷基片上以正硅酸乙酯( )为原料,高纯氮气作载气,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积
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( )方法制备 薄膜,研究了基片温度、 温度和沉积时间对 薄膜沉积速率的影响 采用 , 和
6%I 07F H=F0 07F ( JKI JL0
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0=M 技术对07F 薄膜的组成和结构进行了分析(
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关 键 词:化学气相沉积;沉积速率;薄膜
中图分类号:()*+, -+. / 0 - * 文献标识码:1
07F! 陶瓷材料具有稳定的高温介电性能和良好的耐烧蚀性能,是导弹弹头和天线窗理想的介电 防热
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材料 A 目前用于制备 材料的方法主要有硅烷氧化法、溶胶 凝胶法( )和化学气相沉积法( )
( 07F! 5’NO4’ 6%I (
其中硅烷氧化法的原料,如 , 等大部分价格昂贵;溶胶 凝胶法( )工艺过程复杂,不易控
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制;而采用化学气相沉积法制备无机薄膜材料能在相对低的温度下制备熔点高达G ### Q 的陶瓷,同
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