开关电源中功率管的米勒平台设计.pdfVIP

开关电源MOSFET 的交越损耗分析 随着环保节能的观念越来越被各国所重视，电子产品对开关电源需求不断增长，开关电源的功率损耗测量 分析也越来越重要。由于开关电源内部消耗的功率决定了电源热效应的总体效率，所以了解开关电源的功 率损耗是一项极为重要的工作。本文详细分析开关电源的核心器件之一MOSFET 开关管的交越损耗，从 而使电子工程师更加深入理解MOSFET 产生损耗的过程。 MOSFET 交越损耗 1.开通过程中MOSFET 开关损耗 功率MOSFET 的栅极电荷特性如图1 所示。 图1 MOSFET 开关过程中栅极电荷特性 开通过程中，从t0 时刻起，栅源极间电容开始充电，栅电压开始上升，栅极电压为 其中： ，VGS 为PWM 栅极驱动器的输出电压，Ron 为PWM 栅极驱动器内部 串联导通电阻，Ciss 为MOSFET 输入电容，Rg 为MOSFET 的栅极电阻。 VGS 电压从0 增加到开启阈值电压VTH 前，漏极没有电流流过，时间t1 为 VGS 电压从VTH 增加到米勒平台电压VGP 的时间t2 为 VGS 处于米勒平台的时间t3 为 t3 也可以用下面公式计算： 注意到了米勒平台后，漏极电流达到系统最大电流ID，就保持在电路决定的恒定最大值ID，漏极电压 开始下降，MOSFET 固有的转移特性使栅极电压和漏极电流保持比例的关系，漏极电流恒定，因此栅极电 压也保持恒定，这样栅极电压不变，栅源极间的电容不再流过电流，驱动的电流全部流过米勒电容。过了 米勒平台后，MOSFET 完全导通，栅极电压和漏极电流不再受转移特性的约束，就继续地增大，直到等于 驱动电路的电源的电压。 MOSFET 开通损耗主要发生在t2 和t3 时间段。下面以一个具体的实例计算。 输入电压12V，输出电压3.3V/6A，开关频率350kHz，PWM 栅极驱动器电压为5V，导通电阻1.5Ω， 关断的下拉电阻为0.5Ω，所用的MOSFET 为AO4468 ，具体参数为Ciss=955pF，Coss=145pF，Crss=112pF， Rg=0.5Ω；当VGS=4.5V ，Qg=9nC ；当VGS=10V ，Qg=17nC，Qgd=4.7nC，Qgs=3.4nC ；当VGS=5V 且ID=11.6A， 跨导gFS=19S ；当VDS=VGS 且ID=250μA，VTH=2V ；当VGS=4.5V 且ID=10A，RDS(ON)=17.4mΩ。 开通时米勒平台电压VGP ： 计算可以得到电感L=4.7μH.，满载时电感的峰峰电流为1.454A，电感的谷点电流为5.273A，峰值电流为 6.727A，所以，开通时米勒平台电压VGP=2+5.273/19=2.278V ，可以计算得到： 开通过程中产生开关损耗为 开通过程中，Crss 和米勒平台时间t3 成正比，计算可以得出米勒平台所占开通损耗比例为84%，因此米 勒电容Crss 及所对应的Qgd 在MOSFET 的开关损耗中起主导作用。Ciss=Crss+Cgs，Ciss 所对应电荷为Qg 。 对于两个不同的MOSFET，两个不同的开关管，即使A 管的Qg 和Ciss 小于B 管的，但如果A 管的Crss 比B 管的大得多时，A 管的开关损耗就有可能大于B 管。因此在实际选取MOSFET 时，需要优先考虑米 勒电容Crss 的值。 减小驱动电阻可以同时降低t3 和t2 ，从而降低开关损耗，但是过高的开关速度会引起EMI 的问题。提 高栅驱动电压也可以降低t3 时间。降低米勒电压，也就是降低阈值开启电压，提高跨导，也可以降低t3 时间从而降低开关损耗。但过低的阈值开启会使MOSFET 容易受到干扰误导通，增大跨导将增加工艺复杂 程度和成本。 2.关断过程中MOSFET 开关损耗 关断的过程如图1 所示，分析和上面的过程相同，需注意的就是此时要用PWM 驱动器内部的下拉电阻 0.5Ω和Rg 串联计算，同时电流要用最大电流即峰值电流6.727A 来计算关断的米勒平台电压及相关的时间 值：VGP=2+6.727/19=2.354V 。 关断过程中产生开关损耗为： Crss 一定时，Ciss 越大，除了对开关损耗有一定的影响，还会影响开通和关断的延时时间，开通延时为 图1 中的t1 和t2 ，图2 中的t8 和t9 。 图2 断续模式工作波形 Coss 产生开关损耗与对开关过程的影响 1.Coss 产生的开关损耗 通常，在MOSFET 关断的过程中，Coss 充电，能量将储存在