半导体物理学简明教程 教学课件 作者 陈治明 第1章 半导体的物质结构和能带结构2011.pptVIP

第一章 半导体的物质结构和能带结构 1.1 半导体的原子结合与晶体结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中载流子的有效质量 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级 1.5 典型半导体的能带结构 1.6 半导体能带工程概要 第一章 半导体的物质结构和能带结构 1.1 半导体的原子结合与晶体结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中载流子的有效质量 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级 1.5 典型半导体的能带结构 1.6 半导体能带工程概要 §1.1 半导体的晶格结构和结合性质 固态晶体具有多种结晶形态，分属7大晶系14种类型。结晶半导体大多数属于立方(cubic)晶系和六方(Hexagon)晶系，且都是四面体(tetradron)结构。只有少数半导体具有其他结构。 一、元素的电负性与原子的结合性质 原子以何种方式结合成固体，完全决定于其得到或失去电子的能力，即电负性（electronegativity）。 2、元素的电负性及其变化规律 价电子数相同的原子，电子壳层数越多，电负性越小； 电子壳层数相同的原子，价电子数越多，电负性越强。 3、电负性决定原子的结合性质 就同种元素原子的结合而言，电负性小按金属键结合，电负性大按分子键结合，电负性中按共价键结合（其中共价键数目较少者还须依靠范德瓦尔斯力实现三维的结合）。 4、电负性与半导体 各种半导体的构成元素大多位于元素周期表中居中的位置，其构成元素的电负性(化合物半导体的平均电负性)属中等水平。 二、共价结合与正四面体结构 1、原子排列近程序的3个基本要素 配位数、键长和键角 三、金刚石（Diamond）结构 元素半导体金刚石、硅（Si）、锗（Ge）和灰锡（?-Sn）的晶体结构。 晶格结构 四、闪锌矿和纤锌矿结构 双原子层的堆垛原则 1、闪锌矿(Zincblende) 闪锌矿型晶体结构和混合键 2、纤锌矿结构(wurtzite) 闪锌矿加热到1020℃时的变形体，属六方对称晶型。 ABAB…方式堆垛 3、同质异晶型（polytype） 双原子层堆垛顺序的变化，产生多种不同的晶体结构。 按ABAB顺序堆垛成纤锌矿结构(六方), 常用2H-表示； 按ABCABC顺序堆垛成闪锌矿结构(立方), 用3C-或?-表示； 按其他顺序堆垛成混合结构，例如： 闪锌矿与纤锌矿结构 由化学元素周期表中的III族元素硼、铝、镓、铟和Ⅴ族元素氮、磷、砷、锑交相化合而成的16种III-Ⅴ族化合物半导体和IV族化合物碳化硅都具有闪锌矿型晶体结构，但4种氮化物和碳化硅也可具有纤锌矿型结构。 五、半导体的其他结晶类型 1、具有正四面体结构的其他结晶类型 黄铜矿（CuFeS2）型 ，（ I-III-VI2 和 II-IV-V） 第一章 半导体的物质结构和能带结构 1.1 半导体的原子结合与晶体结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中载流子的有效质量 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级 1.5 典型半导体的能带结构 1.6 半导体能带工程概要 1.2 半导体中的电子状态和能带 一 原子的能级和晶体的能带 二 半导体中的电子状态和能带 三导体、半导体、绝缘体的能带 常用原子的电子结构 原子外围价电子 二、原子中的电子能级与固体中的电子能带 1 原子的能级和晶体的能带 原子中电子能级的形成和晶体的能带 自由电子的能级 Kronig-Penney 模型 K-P模型 E(k)-k关系 满带:当所有状态都被电子占据; 金属的价电子能级形成一个半满带；半导体的价电子能级杂化为一个满带和一个空带；绝缘体的价电子能级形成一个满带 导带、价带；空带、满带 导带:具有空的能级,可以起导电作用的能带. 导带上的本征激发电子很少，本征时可以认为是空带。杂质半导体导带上的电子来源于施主杂质的电离。 价带:已被价电子占满的能带称为价带。 价带上的本征激发空穴很少，本征时可以认为是满带(电子填满)。杂质半导体价带上的空穴来源于受主杂质的电离。 第一章 半导体的物质结构和能带结构 1.1 半导体的原子结合与晶体结构 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中载流子的有效质量 1.4 半导体中的杂质和缺陷能级 1.5 典型半导体的能带结构 1.6 半导体能带工程概要 1.3 半导体中载流子的有效质量 一 半导体能带极值附近的 E(k)函数与k的关系 二 导电电子和空穴的有效质量 三 三维K空间的等能面 四 回旋共振 一、半导体中极值附近E(k)与k的关系 一维E(k)函数极值附近的E－k关系:在能带(导带)底部和(价带) 顶部附近,将E(k)进行泰勒展开.设能带底位于k=0,将E(k)在 k=0附近进行泰勒展开: 二、导电电子和空穴的有效质量 空穴的有效