PN结及其单向导电特性半导体二极管的伏安特性曲线.pptVIP

第1章???半导体器件 * * 本章重点内容 PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用 三极管的结构和工作原理 三极管的放大作用 三极管的测量 1.1???? PN结 1.1.1 本征半导体 空穴 自由电子 a b c ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 共价键的两 个价电子 价电子 ＋4 （a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图 1.1.2 杂质半导体 1．N型半导体 2．P型半导体 磷原子 自由电子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.2 N型半导体的结构 空穴 硼原子 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 电子一空穴对 图1.3 P型半导体的结构 3. PN结的形成 内电场 P区 N区 P区 N区 空间电荷区 图1.4 PN结的形成 4． PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性 R 外电场 内电场 IR 空穴 (多数) 电子 (多数) N P 变薄 N P 变 厚 IR≈0 R 外电场 内电场 电子 (少数) 空穴 (少数) (a) 正向偏置 （b）反向偏置 图1.5 PN结的导电特性 (2) PN结的反向截止特性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号 － 外壳 (阴极) (阳极) P N 阳极引线 阴极引线 VD － ＋ (阴极) （a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形 uv/V ? ? ? ? 0 15 10 5 ? ? （μA） iv/mA ? ? ? ? A B B′ A′ -5 IR 0.2 0.4 0.6 0.8 ? ? ? ? C′ D′ D C -30 -U（BR） 硅 锗 图1。.7 二极管伏安特性曲线 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 1．正向特性 2．反向特性 3．反向击穿特性 4．温度对特性的影响 1.2.3 半导体二极管的主要参数 1．最大整流电流IF 2．最大反向工作电压URM 3．反向饱和电流IR 4．二极管的直流电阻R 5．最高工作频率fM 1.2.4 半导体二极管的命名及分类 1．半导体二极管的命名方法 用数字表示电极数目 用字母表示材料和极性 用字母表示类型 用数字表示序号 用数字表示规格 图1.8 半导体器件的型号组成 2．半导体二极管的分类 1.2.5 二极管的判别及使用注意事项 1．二极管的判别（用万用表进行检测） （1）二极管正、负极性及好坏的判断 （2）二极管好坏的判别 （3）硅二极管和锗二极管的判断 （4）普通二极管和稳压管的判别 2．二极管使用注意事项 1.2.6 几种常用的特殊二极管 1. 稳压二极管 (1)．稳压二极管的工作特性 (a) 伏安特性 （b）符号 图1.9 稳压二极管的特性曲线和符号 0 IA（Izmin） IZ IA（Izmax） I／mA ΔUZ U／V B A UZ ΔIZ UB UA VD (2).稳压管的主要参数 2. 发光二极管 (1)．普通发光二极管 (2)．红外线发光二极管 3．激光二极管 4 光电二极管 5 变容二极管 (a) 压控特性曲线 (