变频器原理及应用 第2版 教学课件 作者 王廷才 教案 第2章 2.5 2.8.docVIP

章节课题 第2章 变频器常用电力电子器件（2.5～2.8） 课时 2 教 学 目 的 1. 了解功率场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管、集成门极换流晶闸管、、、、、、是将门极驱动电路与门极换流晶闸管GCT集成于一个整体形成的是较理想的兆瓦级、中压开关器件，非常适合用于6kV和10kV的中压开关电路。、、、 2.5 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.5.1 功率场效应管的结构 功率场效应晶体管的导电沟道也分为Ｎ沟道和Ｐ沟道，栅偏压为零时漏源之间就存在导电沟道的称为耗尽型，栅偏压大于零（Ｎ沟道）才存在导电沟道的称为增强型。 2.5.2 P-MOSFET的工作原理 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源之间电压为零或为负时，Ｐ型区和Ｎ-型漂移区之间的ＰＮ结反向，漏源之间无电流流过。 如果在栅极和源极加正向电压UGS，由于栅极是绝缘的，不会有栅流。但栅极的正电压所形成电场的感应作用却会将其下面Ｐ型区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的Ｐ型区表面。当UGS大于某一电压值UT时，栅极下面Ｐ型区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使Ｐ型半导体反型成Ｎ型半导体，沟通了漏极和源极，形成漏极电流ID。电压UT称为开启电压，UGS超过UT越多，导电能力越强。漏极电流ID越大。 教学内容 2.5.3 P-MOSFET的特性 １. 转移特性 ２．输出特性 ３. 开关特性 2.5.4 功率场效应晶体管的主要参数 1）漏源击穿电压BUDS ；2）漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 3) 栅源击穿电压BUGS 4)开启电压UT 5) 极间电容 2.5.5 Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动 1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证P-MOSFET的可靠触发导通。 2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高P-MOSFET的开关速度。 3）P-MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。 2.5.6 P-ＭＯＳＦＥＴ的保护 1) 工作保护; 2) 静电保护 2.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.6.1 IGBT的结构与基本工作原理 从结构示意图可见，IGBT相当于以GTR为主导元件、以MOSFRT为驱动元件的达林顿结构。 2.6.2 IGBT的基本特性 　1) 传输特性; 　2) 输出特性 2.6.3 IGBT的主要参数 1)集电极-发射极额定电压UCES；2)栅极-发射极额定电压UGES；3)额定集电极电流IC ；4)集电极-发射极饱和电压UEC(sat)；5)开关频率 2.6.4 IGBT的驱动电路 1) IGBT与MOSFET都是电压驱动，都具有一个2.5～5V的阈值电压，有一个容性输入阻抗。 2) 用内阻小的驱动源对栅极电容充放电，以保证栅极控制电压有足够陡的前后沿，使IGBT的开关损耗尽量小。IGBT开通后，栅极驱动源能提供足够的功率。 3) 驱动电路要能传递几十kHz的脉冲信号。 4) 驱动电平+UGE的选择必须综合考虑。 5) 在关断过程中，为尽快抽取PNP管的存储电荷，应施加一负偏压UGE，但其受IGBT的G、E间的最大反向耐压限制，一般取-10～-1V。 教学内容 2.7 集成门极换流晶闸管（IGCT） 2.7.1 IGCT的结构与工作原理 2.7.2 IGCT的特点 （1）缓冲层；（2）透明阳极；（3）逆导技术 2.8 智能功率模块(IPM) 2.8.1 1PM的结构 其中包括用于于电动机制动的功率控制电路和三相逆变器各桥臂的驱动电路，还具备欠压、过流、桥臂短路及过热等保护功能。 2.8.2 IPM的主要特点 IPM 内含驱动电路，可以按最佳的IGBT驱动条件进行设定；IPM内含过流（OC）保护、短路（SC）保护，使检测功耗小、灵敏、准确；IPM内含欠电压（UV）保护，当控制电源电压小于规定值时进行保护；IPM内含过热（OH）保护，可以防止IGBT和续流二极管过热，在IGBT内部的绝缘基板上设有温度检测元件，结温过高时即输出报警（ALM）信号，该信号送给变频器的单片机，使系统显示故障信息并停止工作。IPM还内含制动电路，用户如有制动要求可另购选件，在外电路规定端子上接制动电阻，即可实现制动。 2.8.3 IPM选择注意事项 （1）采用光电耦合器 ；（2）采用双脉冲变压器 普通高等教育“十一五”国家级规划教材 《变频器原理及应用（第2版）》 电子教案 第4页 共4页 中等职业教育课程改革国家规划新教材 《电子技术基础》 电子教案