数字电子技术 教学课件 作者 王秀敏主编 第3章 习题答案081007.docVIP

习题答案 3.1．略 3.2．答：因为金属和半导体之间存在着接触电位差，二极管短路时，二极管两端的接触电位差抵消了PN结上的电位差。在热平衡状态下，PN结两侧载流子的扩散力与由V形成的PN结内电场力平衡，故V不能驱使载流子流通而形成电流，所以回路中无电流。 3.3．答：三极管是由PN结构成的。由于半导体具有热敏性，因此，三极管的特性和参数要随温度的变化而变化。 1．温度对输入特性的影响 温度升高时，发射结的正向压降Vbe减小，其电压随温度的变化率约为-2mV／℃。因此，温度升高时，三极管的输入特性曲线左移。 2．温度对反向饱和电流的影响 三极管的反向饱和电流Icbo、Iceo都是由少数载流子形成的，其大小随温度的升高按指数规律增大。实验表明，对于锗管，温度每升高10℃，反向饱和电流约增加一倍；而对于硅管，温度每升高8℃，反向饱和电流约增加一倍。对于小功率管而言，硅管的反向饱和电流是纳安级（10-9A），而锗管是微安级（10－6A），所以要求温度稳定性高的场合常采用硅管。 图3.5.2反映了温度对输入特性及反向饱和电流的影响。图中，△Is是反向饱和电流变化量。 3．温度对三极管电流放大系数的影响 不同类型的三极管，电流放大系数在随温度增加的情况不同，一般以25℃时测得的β为基准，温度每升高1℃约增加（0.5～l）％。 4．温度对三极管输出特性的影响 温度升高时，Icbo、Iceo和β