数字电子技术基础 第2版 工业和信息化高职高专“十二五”规划教材立项项目 习题答案作者 焦素敏 chp2xtdax.docVIP

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  • 2017-08-18 发布于广东
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数字电子技术基础 第2版 工业和信息化高职高专“十二五”规划教材立项项目 习题答案作者 焦素敏 chp2xtdax.doc

第二章习题 2.1静态特性:加正向电压时导通,伏安特性很陡、压降很小,可近似看作是一个闭合的开关。加反向电压时截止,反向电流很小,且几乎不随反向电压的增大而增大。 动态特性:在低速脉冲电路中,开关转换时间可以忽略,在高速通断状态时由于PN结中存储电荷的存在限制了二极管的开关速度。 2.2 闭合时有压降,反向截止时有反向电流。 2.4 TTL逻辑器件引脚悬空时,视门电路的逻辑功能不同可分别认为是高电平和低电平;而CMOS器件一般要避免引脚悬空。 2.5 灌电流负载能力与驱动门的电流IOL及负载门的电流IIL有关: 拉电流负载能力与驱动门的电流IOH及负载门的电流IIH有关: 2.6 对于TTL与非门,当有些输入端悬空时,该输入端没有电流,相当于该输入端输入高电平的情况。不用的输入端可与有信号的输入端并在一起作为输入端、也可通过小电阻与+5V电源相连。 2.7 不能,电压不相匹配 2.8 9.2.9 放大状态:发射结正向偏置、集电结反向偏置、基极电流流向发射极、集电集电流流向发射极。 饱和状态:发射结正向偏置、集电结正向偏置,集电极电位接近或低于基极电位。深度饱和时Uce≈0.3V、基极电流流向发射极、集电集电流流向发射极。 截止状态:发射结反向偏置、集电结反向偏置,各电极无电流或电流极微弱。 2.10.升高 2.11.解:从TTL数据手册上查得74LS00的参数如下

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