数字电子技术基础 教学课件 作者 王友仁 等 第8章 半导体存储器20101201.pptVIP

8.1 概述 8.2 只读存储器 8.3 随机存储器 8.4 顺序存储器 C1充电，且电压大于VT1的开启电压，C2没有充电，则VT1导通、VT2截止，则uC1=1、 uC2=0，此状态称为存储单元的0状态。反之，VT1截止、VT2导通的状态称作存储单元的1状态。 ⑴ 预充电 在预充脉冲有效的时间内，将位线上的分布电容 CB 和 充至高电平状态，预充脉冲消失后，位线上的高电平能在短时间内由分布电容CB和 维持。 4MOS管动态存储单元 ⑵ 读出 X和Y同时为高电平，门控管VT3、VT4、VT7、VT8均导通。 预充电是能够将栅电容中存储的状态可靠传递到位线的保障 。读出过程就是将存储单元的状态读到位线上，再将位线上的状态通过导通的VT7和VT8管子传送到数据输出端D和 ，直到I/O。 4MOS管动态存储单元 ⑶ 写入 当X、Y同时为高电平时，门控管VT3、VT4、VT7、VT8均导通，输入数据通过读/写控制电路加到D和 端，通过VT7和VT8传到位线B和 上，再经过VT3和VT4管将数据写入