石墨烯折角可控场发射地研究.pdfVIP

石墨烯折角可控场发射的研究 1’2 刘卫华1 庞凯歌2 田康1 魏仙奇2 李听¨t!d,2 1西安交通大学 电子与信患工程学院 微电子学系；2西安交通大学 理学院 光学系 电子邮箱：lx@mail．xjtu．edu．an 低维的碳纳米材料是一类重要的纳米冷阴极材料，如单壁和多壁碳纳米管，碳纳米墙等u‘21。石墨 烯作为一种理想的二维材料，其场发射性能也受到广泛关注。由于石墨烯通常平躺于基底上，为了提高 其场发射性能，通常需要将石墨烯边沿直立起来或构造出垂直衬底的的石墨烯皱褶。碳纳米墙实际可看 做是一种直接生长出来的石墨烯皱褶怕3。这些低维碳纳米材料作为场发射阴极，均是利用了它们的高电 流承载能力、高横纵比以及纳米量级的尖端曲率半径。 在此我们报道一种可通过内部电流调控的场发射石墨烯折角，其结构如图l所示。我们采用光刻， 电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构，硅棱顶部通过氧化削尖，并最终制作一 层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管，左右电极分别称为阴极(cathode) 和栅极(gate)。 ’ 一 图I(a)石墨烯折角场发射测试原理图；(b)为构造石墨烯折角制作的硅棱 场发射测试数据如图2所示，图2一a中Uac为阳极电压，Iac为场发射电流，三条不同的曲线代表 不同的栅压(Ugc)下的场发射特性。图2-b为栅极电压Ugc对场发射电流的调控曲线。在固定阳极电压 N；gT，场发射电流会随Ugc增大而增大。图2-c为场发射过程中石墨烯电导率的变化情况。 图2(a)不同栅阴电压下场发射曲线；(b)Ugc对场发射电流的调控曲线；(c)场发射过程中石墨烯电导率的变化情况 致谢 863项目(2008AA03A314)，以及教育部直属大学基本科研业务费资助。 参考文献 CarbonNanotubeField—EmissionElectronSource”Nature，1995，Volume270， 【1】盟垒l!△：亟￡H￡￡￡，△：￡b§鲤i§鱼，旦：堕g垒丛璺，“A 1179——1180 pages coldcathodesmadeof Okano，SatoshiKoizumi，S．Ravip．Silva*，Gehana．J．Amaratunga，”Low—threshold [2】Ken 140—141 diamond”．Nature1996，Volume381，pages nitrogen—dopedchemical-vapour-deposited from Manish emission and Chhowalla，“Field A．J．Amaratunga Eda，H．EmrahUnalan，NalinRupesinghe，Gehan [3】Goki based thin films”Appl．Phys．Lett．93，233502(2008) graphenecomposite