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442 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 CVD金刚石紫外探测器* ∗ 楼燕燕，王林军，张明龙，顾蓓蓓，苏青峰，夏义本 （上海大学 材料科学与工程学院，上海 20 1800） 摘 要：CVD 金刚石紫外探测器有极强的辐射硬度 率也是最高的，可以确保器件工作时将产生的热量及 及耐腐蚀性，在宽禁带半导体紫外探测器中占有重要 时散发出去；载流子迁移率高，和Si、GaN相比具有 地位。本文主要对金刚石紫外探测器的发展进展、探 更快的电荷收集时间。此外，金刚石的击穿场强 7 测机理、电极模式及应用领域做了简要回顾。 （10 V/cm ）及辐射硬度高、暗电流低，能在恶劣环 关键词：紫外探测器；金刚石膜；辐射硬度 境下高速响应，而其它传统材料如硅、锗，或新兴的 中图分类号：TN36 文献标识码：A 宽禁带材料GaN ，在没有特别的保护措施下很难在恶 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊-0442-05 劣环境下使用。正是因为辐射硬度高的特点，金刚石 膜在探测高能粒子如中子、X射线，宇宙射线、紫外 1 引 言 光等方面显示了其优异的性能[1~4] 。本文主要对金刚 石紫外光探测器的主要研究方向及应用进展做了简 目前，已投入商业和军事应用的紫外探测器主要 单回顾。 有紫外真空二极管、紫外光电倍增管、紫外图像增强 管和紫外摄像管、多阳极微道板阵列(MAMA) 和固 2 CVD 金刚石紫外探测器的研究发展 体宽禁带紫外探测器等。硅基紫外探测器发展比较成 熟，但存在许多缺点如：对紫外敏感性不高，紫外与 近年来，由于化学气相沉积 （CVD ）法技术的进 可见光的分辨率低等，最重要的是监测高强度深紫外 步，使高质量大面积金刚石膜的生长成为可能，大大 光时辐射硬度低、工作寿命短。人们看好以宽禁带材 促进了金刚石探测器的发展，紫外探测器也不例外。 料为基础的新型固体紫外探测器，因为这些探测器的 CVD 金刚石膜紫外探测器的研究工作主要集中于改 成像范围，正好处在太阳盲区。所谓 “太阳盲区”即 进生长技术、材料性能及表面处理、金属—金刚石界 波长短于29 1nm的中紫外辐射，由于同温层的臭氧的 面电学性能、电极模式等方面。 吸收，基本上到达不了地球近地表面，这就会造成近 2.1 CVD 金刚石膜的质量对紫外光探测器的影响 地球表面附近太阳光的中紫外光辐射几乎消失。因 CVD生长技术产生的多晶薄膜有相对较高的晶 此，对于这些宽禁带探测器而言，在不需要昂贵的滤 界密度和晶内缺陷，限制了器件的发展，据观察即便 光片的前提下，任何中紫外光辐射引起的响应都是有 是参数的微小变动，如生长气体中碳氢化合物含量的 效信号，这大大有利于提高紫外/可见光的分辨率。 变化，也会影响相纯度及样品的择优生长取向[5] 。金 这些宽带隙半导体紫外探测器主要包括SiC (Eg= 刚石薄膜的质量对于充分利用该材料作固态探测器 2.9eV) 、GaN基(E =3.4～6.2eV) 、ZnO(E =3.37eV) 、金 来说是一个限制。一般认为金刚石膜限制光导性能的 g