α-Si%3aH薄膜固相晶化和结晶度的研究.pdfVIP

利于薄膜的结晶。 踟 ㈣ ^l=E¨鲁H 伽 枷 u}葛_2 ㈣ 啪 ㈣ 枷 瑚 Raman shifl(em一1) 圈3不同射频功率f样品的Raraan谱 4结论 本文以样品的Ram．an谱作为分析手段研究了不同沉积参数对多晶硅薄膜结晶状况的 影响，得出以下结论：随着温度的升高、氢稀释的增强样品逐渐由非晶硅薄膜向多晶转变， 温度的升高要考虑衬底的承受温度，氢稀释的增强要考虑沉积速率。射频功率太大太小都 不利于薄膜结晶。以上规律可以指导我们直接沉积出用于太阳电池的多晶硅薄膜，以及沉 积出二次晶化所要求的纳晶硅薄膜。 作者简介李瑞，女，1980年出生，河南西平县人，现为郑州大学物理工程学院零二级材料物理与 化学专业在读