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第一章 常用半导体器件 §1 半导体基础知识 一、本征半导体 2、本征半导体的结构 3、本征半导体中的两种载流子 二、杂质半导体 1. N型半导体 2. P型半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 问题 为什么将自然界导电性能中等的半导体材料制成本征半导体，导电性能极差，又将其掺杂，改善导电性能？ 为什么半导体器件的温度稳定性差？是多子还是少子是影响温度稳定性的主要因素？ 为什么半导体器件有最高工作频率？ §2 半导体二极管 一、二极管的组成 一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性 三、二极管的等效电路 2. 微变等效电路 2.1 直流电阻 四、二极管的主要参数 最大整流电流IF：最大正向平均电流值 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 反向电流 IR：即IS 最高工作频率fM：因PN结有电容效应 讨论：解决两个问题 如何判断二极管的工作状态？ 讨论：解决两个问题 什么情况下应选用二极管的什么等效电路？ 五、稳压二极管 作业 1.3 1.4 1.6 1.7 小结 半导体知识 二极管知识 二极管应用 一、半导体知识 1．本征半导体 单质半导体材料是具有4价共价键晶体结构的硅（Si）和锗（Ge）。前者是制造半导体IC的材料（三五价化合物砷化镓GaAs是微波毫米波半导体器件和IC的重要材料）。 纯净且具有完整晶体结构的半导体称为本征半导体。在一定的温度下，本征半导体内的最重要的物理现象是本征激发（又称热激发或产生）。本征激发产生两种带电性质相反的载流子——自由电子和空穴对。温度越高，本征激发越强。 空穴是半导体中的一种等效载流子。空穴导电的本质是价电子依次填补本征晶格中的空位，使局部显示电荷的空位宏观定向运动。 在一定的温度下，自由电子与空穴在热运动中相遇，使一对自由电子和空穴消失的现象称为载流子复合。复合是产生的相反过程，当产生等于复合时，称载流子处于平衡状态。 2．杂质半导体 在本征硅（或锗）中渗入微量5价（或3价）元素后形成N型（或P型）杂质半导体。 在很低的温度下，N型（P型）半导体中的杂质会全部电离，产生自由电子和杂质正离子对（空穴和杂质负离子对）。 由于杂质电离，使N型半导体中的多子是自由电子，少子是空穴，而P型半导体中的多子是空穴，少子是自由电子。 在常温下，多子少子,且多子浓度几乎等于杂质浓度，与温度无关；少子浓度是温度的敏感函数。 在相同掺杂和常温下，Si的少子浓度远小于Ge的少子浓度。这也是Si器件工作温度高于Ge器件的原因。 3．半导体中的两种电流 在半导体中存在因电场作用产生的载流子漂移电流（这与金属导电一致）；还存在因载流子浓度差而产生的扩散电流。 二、PN结 在具有完整晶格的P型和N型材料的物理界面附近，会形成一个特殊的薄层——PN结。 PN结是非中性区（称空间电荷区），存在由N区指向P区的内建电场和内建电压；PN结内载流子数远少于结外的中性区（称耗尽层）；PN结内的电场是阻止结外两区的多子越结扩散的（称势垒层或阻挡层）。 三、二极管知识 普通二极管内芯片就是一个PN结，P区引出正电极，N区引出负电极。 在低频运用时，二极管具有单向导电特性，正偏时导通，Si管和Ge管导通电压典型值分别是0.7V和0.2V；反偏时截止，但Ge管的反向饱和电流比Si管大得多。 二极管的低频小信号模型就是交流电阻，它反映了在工作点Q处，二极管的微变电流与微变电压之间的关系。 二极管交流电阻 定义： 估算: 二极管伏安特性 二极管的低频大信号模型是一种开关模型，有理想开关、恒压源模型和折线模型三种近似。 §1.3 晶体三极管 一、晶体管的结构和符号 晶体管的放大原理小结 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 讨论一 四、主要参数 五、温度对晶体管特性的影响 作业 1.9 1.11 1.12 1.13 1.15 1.16 G D S P+ N iS iD P+ P+ VDD VGG uGS 0,uGD = UGS(off), ,沟道变窄预夹断 uGS 0 ,uGD uGS(off),夹断，iD几乎不变 G D S iS iD P+ VDD VGG P+ P+