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Chapter 4 场效应管放大电路 Chapter 4 主要内容 场效应晶体管 场效应管放大电路 §4.1 场效应晶体管 结型场效应三极管（JFET） 绝缘栅场效应三极管（MOSFET） 场效应三极管的参数 4.1.1结型场效应三极管（JFET） 2、JFET的工作原理 3、JFET的特性曲线 4.1.2 绝缘栅场效应三极管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 各类FET的伏安特性曲线 1、N沟道增强型MOSFET 3）特性曲线 2、N沟道耗尽型MOSFET 3、P沟道耗尽型MOSFET 4、各类FET的伏安特性曲线 4.1.3 场效应三极管的参数 几种常用的场效应三极管的主要参数 4.1.4 双极型和场效应型三极管的比较 §4.2 场效应管放大电路 FET放大电路的偏置电路与静态分析 FET放大电路的动态分析 三种类型放大电路的比较 4.2.1 偏置电路与静态分析 4.2.2 FET放大电路的动态分析 FET的小信号模型 共源放大电路 共漏放大电路（源极输出器） 1、FET的小信号模型 2、共源放大电路 3、共漏放大电路（源极输出器） 4.2.3 三种类型放大电路的比较 本章重点 1、自偏压共源放大电路 直流通路如图所示 自偏压偏置电路：由于栅极电流为零，故栅源电压UGS是由电阻R上压降通过Rg提供的。 ?因为UGS0，所以只能用于耗尽型FET。 ?电阻R可起稳定工作点的作用。 UGSQ=－IDQR 由电路得下列方程： UDSQ=VDD－IDQ（R+Rd） FET的转移特性： 联立上3式，可解得静态工作点参数 UGSQ、IDQ、UDSQ 2、分压式自偏压共源放大电路 VCC经Rg1、Rg2分压后，通过Rg供给栅极电位UGQ。 R 提供自偏压USQ，且可以稳定工作点 UDSQ=VDD－IDQ（R+Rd） ?有： UGSQ、IDQ、UDSQ FET是电压控制器件，在低频小信号工作时，可认为 ? ri=∞ ? id=gmugs 简化 交流小信号等效电路如图 1）电压增益Au 2）输入电阻ri 3）输出电阻ro ro= Rd 1）电压增益Au 2）输入电阻ri * * 讨论的问题： 场效应管是通过什么方式来控制漏极电流的？ 场效应管（Fiedl Effect Transistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路以及微波毫米波电路中得到广泛应用。 按结构，场效应管可分两大类： 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管（IGFET） 1、结型场效应三极管的结构 在N型半导体硅片两侧扩散高浓度的P型区，形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。 两个P区连在一起构成栅极，N型硅的一端是漏极，另一端是源极。 N vGS vDS D S G iD P+ P+ vDS=0，| vGS | 增大，导电沟道变窄，沟道电阻增大。 沟道完全夹断时vGS=VP（VGS（off）），称夹断电压。 现以N沟道为例说明其工作原理。 1、vGS对iD的控制 ——控制导电沟道宽窄 若vDS为一固定值，则iD将受vGS的控制。 vGS=0， vDS增加沿沟道将产生一电位梯度，导电沟道呈楔型， iD与 vDS近似成正比。 N vGS vDS D S G iD P+ P+ 预夹断后，随vDS增加，夹断长度略有增加， iD几乎不随vDS增加而上升。 结论：JFET是电压控制电流器件。 2、vDS对iD的影响 当两楔型相遇时，称预夹断。此时 vGD= vGS? vDS= VP iD= IDSS—饱和漏极电流 （1）输出特性曲线。 + ? vGS vDS iD + ? S G D 以vGS为参变量， iD与vDS的关系 在恒流区或饱和区， iD受vGS的控制，用作放大电路的工作区域，也称线性放大区。 输出特性曲线 （2）转移特性曲线 以vDS为参变量， iD与vGS的关系，描述了输入电压对输出电流的控制作用。 转移特性曲线 + ? vGS vDS iD + ? S G D 实验表明：在VP≤v GS≤0范围(恒流区)内，iD与vGS间呈平方律关系，即 ?为什么不讨论JFET的输入特性？ 栅-源间的PN结是反偏的，故输入端的电流近似为零。 绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间绝缘层 ，又称金属-氧化物-半导体场效应