Microsoft Word - 物理实验报告3_利用霍尔效应测磁场.pdfVIP

实验名称：利用霍耳效应测磁场 实验目的： a．了解产生霍耳效应的物理过程； b．学习用霍尔器件测量长直螺线管的轴向磁场分布； c．学习用 “对称测量法”消除负效应的影响，测量试样的V -I 和V -I 曲线； H S H M d．确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。 实验仪器： TH－H 型霍尔效应实验组合仪等。 实验原理和方法： 1. 用霍尔器件测量磁场的工作原理 如下图所示，一块切成矩形的半导体薄片长为l 、宽为b 、厚为d ，置于磁场中。磁场 B 垂直于薄片平面。若沿着薄片长的方向有电流 I 通过，则在侧面 A 和 B 间产生电位差 V = V - V 。此电位差称为霍尔电压。 H A B 半导体片中的电子都处于一定的能带之中，但能参与导电的只是导带中的电子和价带中 的空穴，它们被称为载流子。对于 N 型半导体片来说，多数载流子为电子；在 P 型半导体中， 多数载流子被称为空穴。再研究半导体的特性时，有事可以忽略少数载流子的影响。 霍尔效应是由运动电荷在磁场中收到洛仑兹力的作用而产生的。以 N 型半导体构成的霍 v 尔元件为例，多数载流子为电子，设电子的运动速度为 ，则它在磁场中收到的磁场力即洛仑 兹力为 F = -ev ´B m v F 的方向垂直于 和 B 构成的平面，并遵守右手螺旋法则，上式表明洛仑兹力 F 的方向与 电荷的正负有关。 自由电子在磁场作用下发生定向便宜，薄片两侧面分别出现了正负电荷的积聚，以两个 侧面有了电位差。同时，由于两侧面之间的电位差的存在，由此而产生静电场，若其电场强 度为E ，则电子又受到一个静电力作用，其大小为 x F = eE E x 电子所受的静电力与洛仑兹力相反。当两个力的大小相等时，达到一种平衡即霍尔电势 不再变化，电子也不再偏转，此时， E = BV x 两个侧面的电位差 V = E b H x 由I = nevbd 及以上两式得 V = [1/(ned)]I H B 其中：n 为单位体积内的电子数；e 为电子电量；d 为薄片厚度。 令霍尔器件灵敏度系数 V -I H S 则 V = K IB H H 若常数K 已知，并测定了霍尔电动势V 和电流I 就可由上式求出磁感应强度 B 的大小。 H H 上式是在理想情况下得到的，实际测量半导体薄片良策得到的不只是V ，还包括电热现