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MOSFET器件回顾与展望_上_.pdf
趋势与展望
T
Outlook features S
MOSFET器件回顾与展望(上)
1 2 1
肖德元,夏青 ,陈国庆
(1.中芯国际集成电路(上海)有限公司存储器技术发展中心,上海 201203;
2.上海第二工业大学,上海 201209）
摘要：简述了MOSFET器件工作原理，回顾了器件发展历程，列出亟待解决的器件工艺问题以及面临
的挑战。
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管；微电子技术；发展历程与挑战
中图分类号：TN386.1 文献标识码：A 文章编号：1003-353X(2006)11-0805-05
（I）
1 2 1
XIAO De-yuan, XIA Qing, CHEN Guo-qing
(1
Corporation, Shanghai201203, China;2. 201209, China)
Abstract:
Key words:MOSFET；microelectronics；development courses and challenges
1 引言 唯一电流是反向漏泄电流。MOSFET的电流之所以
存在，是由于反型层以及与氧化层-半导体界面相
自MOSFET器件研制成功后，其得到了迅猛发
邻的沟道区中的电子或空穴的流动。这些电流横向
展并且成为微处理器与存储器等先进集成电路中最
流过硅表面的反型层。以n沟道器件为例，增强型
重要的器件，主导了集成电路和微芯片的命运。这
MOSFET的含义为氧化层下面的半导体衬底在零栅
归功于MOSFET能轻易地缩小器件尺寸，并且在相
压时不是反型的，需要加正的栅偏压才能使之反
同的设计规范下，比双极型晶体管占用空间小。随
型，而耗尽型MOSFET在零栅压时沟道就已经存
之发展起来的CMOS平面工艺最大的好处是适合于
在，只要在漏端加上正偏压，反型层电子就会从源
大规模生产，因而成本低。目前商用数字处理单元
流向漏端，电流的大小可以由加在栅上的电压来控
大多采用CMOS工艺。随着CMOS技术的进步，
制 。
CMOS技术的应用已从数字电路扩展到模拟/混合信
在理想化条件下推导出的n沟MOSFET特性,其
号及射频电路,并在传统以双极型、GaAs、SiGe器
总漏极电流I随电压变化关系 [1]
件为主的高速模拟电路领域占有一席之地。 D
2 MOSF
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