Si基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能.pdfVIP

第 1 期 微细加工技术 №. 1 2002 年 3 月 MICROFABRICA TION TECHNOLO GY Mar. ,2002 ( ) 文章编号 2002 Si 基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能 高晓光 ,李建平 ,何秀丽 ,于中尧 ,王 利 ( 中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室 ,北京 100080) 摘要 :微结构气敏传感器由于其微型化、低功耗、易阵列化和易批量生产等优点而受 ( ) 到国内外研究者的广泛关注。利用微机电系统 MEMS 加工技术 ,制备 Si 基膜片型 微结构单元 ,并分析其热学性能。这种单元工作区温度为～300 ℃时 ,加热功率约 75mW ;并且膜片工作区的热质量很小 , 温度可以于毫秒量级的时间内 ,在室温和 450 ℃之间调制。利用这种微结构单元 ,可以在温度调制方式下 ,研究气敏薄膜的电 学特性和敏感机理。 关 　键 　词 :Si 基膜片型微结构单元 ;微机电系统 ;热学性能 中图分类号: TN304 ·055 　　　文献标识码 :A 1 　引言 结构气敏传感器功耗低、易阵列化和易与电 路集成而实现智能化 ,受到人们的重视。随 气敏传感器已广泛应用于防灾报警 、环 着微机械加工技术的进步 ,集成了加热单元、 境监测、化工、汽车、家电等领域。金属氧化 温度传感器和测量电极的气敏传感器从二维 物气敏传感器结构简单、价廉可靠、灵敏度 结构发展到三维结构 ,功耗也从几百毫瓦降 高 ,但选择性不佳 , 而且其工作温度一般在 低到几十毫瓦[3 - 4 ] 。 300 ℃以上 , 传统结构的器件功耗在 500 ～ 微结构单元有多种结构形式 ,其中最常见 1000mW 之间。采用掺杂、催化、选择最佳工 的一种是 Si 基膜片型结构 ,如图 1 所示。本 作温度等方法可以改善单个传感器的选择 文利用 MEMS 技术制备 Si 基膜片型微结构单 性 ,但无法从根本上解决问题。目前人们普 元 ,并分析其热学性能。这种微结构单元工作 遍采用气敏传感器阵列和模式识别技术来解 区温度为～300 ℃时 ,加热功率约 75mW ;并且 决气敏传感器的选择性问题[1 - 2 ] 。 由于膜片工作区的热质量很小,温度可以在毫 用微电子、微机械和薄膜技术制备的微 秒量级的时间内 ,在室温和 450 ℃之间调制。 　　收稿日期 ( ) 　　作者简介 :高晓光 1976 ,男 ,山西运城人 ,硕士 ,主要从事微型气敏传感器及电子鼻方面的研究 ;李建平 ( 1955) ,男 ,江苏太仓人 ,研究员 ,博导 , 目前主要从事微型气敏传感器阵列和模式识别方法在气体检测和识 ( ) 别中的应用等研究 ;何秀丽 1974 ,女 ,辽宁盘锦人 ,硕士 ,主要从事微型气体传感器、MIS 二极管传感器和多 种敏感薄膜的研究。 第 1 期 　　　　　　高晓光等 :Si 基膜片型气敏传感器微结构单元的热学性能 51 + Si N 复合层代替单一的 Si N 或 SiO 2 　实验