微机原理、汇编语言与接口技术 习题答案 周杰英 张萍 郭雪梅 黄方军 06 习题答案.pdfVIP

第6 章 存储系统 习题与参考答案 1．简述PC 中存储器分级结构的组成。Cache 是为了解决什么问题引入的，虚拟存储器又 是为解决什么问题而引入的？ 答：PC 中存储器分级结构的组成中包括：CPU 中的寄存器、CACHE、主存和辅存。 引入CACHE，可以解决主存的速度跟不上CPU 的速度的问题，可以提高CPU 访问主 存的速度。 引入虚拟存储器可以解决主存容量不够大时的装载大程序遇到的问题。在虚拟存储技术 中，拿出一部分硬盘空间来充当内存使用，当内存占用完时，计算机就会自动调用硬盘来充 当内存，以缓解内存使用的压力。 2 、半导体存储器可分为哪几个类型？试分别说明它们各自的特点。 解：从存取方式来分，有读写存储器RAM 和只读存储器ROM 。 RAM 也称为随机存取存储器，CPU 在执行程序的过程中能对它进行读出和写入操作。 在RAM 中可分为双极型（Bipolar ）和MOS 型RAM 两大类。双极型RAM 具有很高的存取 速度，但是双极型RAM 的集成度低，单片容量小，功耗大，成本高。MOS 型RAM 具有功 耗低、集成度高、单片容量大的特点，但存取速度则较慢。MOS 型RAM 又可以分为静态 RAM 和动态RAM 两种。 ROM 器件的功能是只许读出，不许写入，一旦有了信息，就不能轻易改变，也不会在 掉电时丢失，所以它只能用在不需要经常对信息进行修改和写入的地方。ROM 可以分为 4 种：掩膜ROM 、可编程ROM 、可擦除、可编程ROM 和可电擦除的、可编程ROM 等。 3、列出半导体存储器的主要性能指标。 解：半导体存储器的性能指标有：存储芯片容量、存取速度、可靠性、价格、易失性、集成 度、功耗和电源种类等。 4 、试比较SRAM 和DRAM 的优缺点。 解：SRAM 用由 6 管构成的触发器作为基本电路，不需要刷新电路，而且易于用电池作后 备电源。DRAM 是利用电容的记忆功能保存信息，由于电容存在漏电电流，即使电源不掉 电，电荷会随着电容放电而泄露，从而导致信息丢失，所以需要刷新。 与SRAM 相比，DRAM 的主要优点是集成度高、功耗小、价格低。而不足之处是与CPU 的接口电路比较复杂，有两个问题要解决：一个是上面所讲的刷新问题，另一个是地址信号 的输入问题。DRAM 一般用于组成大容量的内存系统。 5、若某微机系统的系统RAM 存储器由四个模块组成，每个模块的容量为 128K 字节，若四 个模块的地址是连续的，最低地址为00000H，试指出每个模块的首末地址。 解：第一个模块：00000H～1FFFFH； 第二个模块：20000H～3FFFFH； 第三个模块：40000H～5FFFFH； 第四个模块：60000H～7FFFFH 。 6、对于下列芯片，它们的片内地址线各有多少根？若分别用以下芯片组成容量为64K 字节 的模块，试指出分别需要多少芯片？ （1）Intel 2114 （1K×4 位）； （2 ）Intel 6116 （2K ×8 位）； （3 ）Intel 2164 （64K ×1 位）； （4 ）Intel 3148 （4K ×8 位）。 解：（1）片内地址线10 根。需要128 片。 （2 ）片内地址线11 根。需要32 片。 （3 ）片内地址线16 根。需要8 片。 （4 ）片内地址线12 根。需要16 片。 7、试比较存储器读周期和写周期的差别。 解：存储器的读周期和写周期的主要差别在于数据出现在数据总线上的时间不同和总线上数 据的来源不同。对于存储器的读周期，是在地址线和选通控制线稳定后，被读出的数据才出 现在数据总线上，数据来自于存储器；而对于存储器的写周期，则是往存储器内写入新的信 息，故在所有选通控制信号出现之前，数据线上应有待写的稳定数据，数据来自于CPU 。 8、某SRAM 芯片，容量为4K4 位，该芯片有数据线、地址线、片选信号线CS 和读写控 制线WR 。请问： （1）该RAM 芯片有几根地址线？几根数据线？ 30000H RAM#1 （2 ）现要在8088 为CPU 的微机系统中，用该芯片构成