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离子敏传感器 ion transducer 第一节 离子敏传感器 1、场效应管的结构 一、 MOS场效应管 在P型硅衬底上扩散两个n+区，将两个n+区用电极引出，作为源极（S）和漏极（D）。 离子敏场效应管(ISFET)的结构和一般的场效应管基本相同，为了理解离子敏场效应管的原理，我们不妨先简单回顾一下场效应管的工作原理。 源极和漏极之间生成 SiO2 绝缘层，在绝缘层上蒸镀一层金属电极并引出，作为栅极（G）。 若源极和漏极之间施加电压的话，带电粒子将沿着该沟道流通，形成漏源极之间的沟道电流，又称作漏电流（ID）。 2、场效应管工作原理 在栅-源极施加电压VGS，栅极下的P型衬底表面将大量积聚电子而形成反型层。 当VGS≥VTH时，栅极下将形成强反型层，在源极-漏极之间形成 n型沟道。 离子敏场效应管正是利用场效应管的上述特性而实现对离子浓度的测量的。 3、漏电流的计算 当VDS ＜（VGS – VT）时 （场效应管工作在非饱和区）： 当VDS ≥（VGS – VT）时（在饱和区）： 式中：β是一个与场效应管结构有关的系数，并且： 其中， W、L、μn 、Cox分别为沟道宽度、长度、沟道中电子的有效迁移率。 场效应管漏电流ID的大小与阈值电压VT有关，特别是在VDS、VGS恒定的情况下，阈值电压VT的变化将引起漏电流ID的变化。 1、离子敏场效应管的结构 二、