场效应管(FET).pptVIP

1.基本知识概述 2.分类、命名、标识、结构 3.制程及工艺 4.基本特性 5.应用 6.常见失效模式及案例分析 7.Derating标准及其测试方法 2.1. 分类、命名、标识、结构 首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区（可变电阻区）。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。此区域称为饱和导通区（恒流区）。当VDS过大则进入击穿区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)或Vp表示。n沟道JFET的情况，则VGS (off) 值为负,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难。因此实际应用中将达到ID =0.1～10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 关于JFET为什么表示这样的特性，用图4.1.2作以下简单的说明。? 6.1 Derating参数标准及其测试方法 B.漏极电流ID@25°C On-state Drain Current 此参数为MOSFET