场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量.pdfVIP

北京大学学报（自然科学版），第 卷，第 期， 年 月 41 5 2005 9 Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis， ， （ ） Vol .41 No .5 Sept . 2005 场效应纳电子晶体管的构造和电学特性测量1） 邓 楠 张琦锋 李萍剑 申自勇 侯士敏 吴锦雷2 ） 2 ） （北京大学信息科学技术学院 电子学系，北京， ， ： ） 100871 E-mail jlwu @ pku . edu . cn 摘 要 研究了场效应纳电子晶体管构造过程中金属电极的结构设计，源 漏电极高度、 绝缘 - SiO 2 层厚度以及金属电极选材等因素对器件性能有关键的影响。在此基础上测量了单壁碳纳米管束 的场效应行为，构造成功基于单壁碳纳米管束的场效应晶体管。 关键词 单壁碳纳米管；化学气相沉积；肖特基势垒；场效应晶体管 中图分类号 ； TN 04 TN 103 0 引 言 单根碳纳米管和纳米线的直径仅为几个纳米，而长度可达数微米以上，是一种理想的一维 结构。单根碳纳米管和纳米线的电学特性及在此基础上构建的纳电子器件是当前国际上的研 ［— ］ 1 4 究热点之一 。 在纳米尺度构造电子器件并研究其电学性质，其中一个很关键的问题是纳电极的设计，其 中涉及的问题包括：金属电极材料与一维半导体材料