模拟电子技术 教学配套课件 吴恒玉 第1章 半导体器件.pdfVIP

模拟电子技术 模拟电子技术 吴恒玉 唐民丽 主编 第1章 半导体器件 1.1 本章任务的导入 1.2 相关的理论知识 1.3 相关的基本技能 本章小结 1.1 本章任务的导入 图1-1 某实用电子线路板 1.2 相关的理论知识 1.2.1 半导体的基础知识 1.2.1.1 半导体及其导电特性 1.半导体 1)热敏特性：半导体的电阻率随温度的升高明显地降低，导电能力 加强，利用半导体的这一特性，可以制作热敏电阻或其他对温度敏 感的传感器。 2)光敏特性：对半导体施加光照时，光照越强，电阻率越低，导电 能力越强。 3)掺杂特性：通常纯净的半导体的导电能力很差，掺入微量的杂质 就能使其导电性能大幅度地改变。 2.本征半导体 1.2 相关的理论知识 纯净的、晶体结构完整的半导体称为本征半导体。单晶硅、 单晶锗均为本征半导体，两者晶体结构相同，下面以单晶硅为例 来进行讨论。 硅原子是由原子核和14个外层电子组成的中性原子，原子 的最外层有四个价电子，因此又称为四价元素。如图1-2所示 硅原子的每一个价电子分别与 相邻硅原子的1个价电子组成1个价 电子对，这个价电子对为相邻的2个 原子所共有。价电子对中的每一个 价电子，同时受到两个原子核的吸 引作用，使两个价电子被紧紧地束 缚在一起，组成了共价键结构。并 用套住两个相邻原子的共价电子的 虚线环表示共价键，如图1-3所示。 图1-2 硅原子结构图 1.2 相关的理论知识 当温度升高或受到光照后，少数的价电 子可以从外界获得足够的能量而挣脱共价键 的束缚，而成为可移动的自由电子，自由电 子是一种可以参与导电的粒子，称为载流 子。价电子挣脱共价键束缚成为自由电子的 同时，会在共价键上留下一个空位，这个空 位称为空穴。由于存在这样的空穴，附近共 价键中的电子就比较容易进来填补，而同时 又留下一个新的空位，其它地方的电子又有 图1-3 本征半导体的结构图 可能来填补后一个空位，从效果上来看，相 当于带正电的空穴在运动一样。称这种运动 为空穴运动，并将空穴看成带正电的载流 子。金属导体中只有一种载流子：自由电子；本征半导体中有两种载流 子：自由电子和空穴。把由于共价键破烈而形成的自由电子和空穴称为电 子—空穴对，并且把这种由于光照、辐射、温度的影响而产生电子—空穴 对的现象称为本征激发。 1.2 相关的理论知识 当自由电子在运动中，可能与空穴相遇，使电子—空穴对消失，称为 复合。在一定温度下尽管本征激发和复合在不断地进行，但电子（空穴） 的浓度不变，保持一种动态平衡状态。当温度升高或光照时，本征激发将 加强，复合也随着增加，最后达到一种新的动态平衡。 3.杂质半导体 (1)N型半导体 在本征半导体中掺入微量的五价元素，如磷(P)、砷(AS) 等，在半导体内产生的自由电子的数量远多于空穴数量，这种半导体称为N 型半导体。 在N型半导体中，也同时存在着本征激发的现象，有电子—空穴对的 产生，但产生的自由电子的数量远少于掺入的数量，自由电子是多数载 流子，简称为“多子”。空穴为少数载流子，简称为“少子”，但整个N 半导体呈现电中性。N型半导体在外电场作用下，电子电流远大于空穴电 流，其导电是以电子导电为主的，所以它又称为电子型半导体。 N型半导体中“多子”的浓度取决于掺入杂质的多少，少子的浓度与 温度有关。 1.2 相关的理论知识 (2)P型半导体 在本征半导体中掺入微量的三价元素，如硼(B)、铟(IN) 等，在半导体内产生的空穴的数量远多于自由电子数量，这种半导体称为P 型半导体。 在P型半导体中，也同时存在着本征激发的现象，有电子—空穴对的产 生，但产生的空穴的数量远少于