模拟电子技术及应用 教学配套课件 曹光跃 第2章 小结.pdfVIP

第二章 半导体三极管及放大电路基础 第 2 章 小 结 第二章 半导体三极管及放大电路基础 一、两种半导体放大器件 双极型半导体三极管(晶体三极管BJT) 两种载流子导电 单极型半导体三极管(场效晶体管 FET) 多数载流子导电 晶体三极管 1. 形式与结构 NPN 三区、三极、两结 PNP 2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大 放大 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 条件 外因：发射结正偏、集电结反偏 3. 电流关系 IE = IC + IB IE = IC + IB IC = IB + ICEO IC = IB IE = (1 + ) IB + ICEO IE = (1 + ) I B 第二章 半导体三极管及放大电路基础 4. 特性 iC / mA iB / A 100 µA 80 4 饱 80 µA 和 60 3 60 µA 区 放大区 40 40 µA 2 20 µA 20 1 I = 0 B u /V O 0.4 0.8 uBE / V O 截止区 CE 3 6 9 12 死区电压(Uth)： 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 工作电压(UBE(on) )：0.6 0.8 V 取 0.7 V (硅管) 0.2 0.3 V 取 0.3 V (锗管) 放大区特点： 1)iB 决定 iC 2)曲线水平表示恒流 3)曲线间隔表示受控 第二章 半导体三极管及放大电路基础 5. 参数 电流放大倍数  = /(1 ) 特性参数  = /(1 + ) 极间反向电流 ICBO ICEO = (1 + ) ICBO I iC