模拟电子技术及应用第2版 教学配套课件 熊伟林 主编 电子教案1 第1章二极管及其应用(8学时).pdfVIP

第1章 二极管及其应用(共8学时) 学习目标: 1．了解半导体的基本概念和本征半导体、N型半导体和P型 半导体的特点。 2 ．了解PN结的形成，掌握PN结的单向导电性。 3 ．了解半导体二极管的结构；掌握二极管的伏安特性及主 要参数。 4 ．掌握常见的二极管应用电路（如整流滤波电路、稳压电 路等）的工作原理及分析方法。 5 ．掌握使用万用表对二极管作简易测试的方法。 本章内容 1.1 半导体基础知识（1学时） 1.2 二极管基本特性（1学时） 1.3 二极管的应用（4学时） 1.4 其它二极管简介（1学时） 1.5 二极管性能的检测（1学时） 1.6 项目设计：二极管应用电路(课外时间完成) 小结 1.1 半导体基础知识 1.1.1 半导体的主要特性 完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本 征半导体  1 ）半导体的电导率会因加入杂质而发生显著的变 化。  2 ）温度的变化也会使半导体的电导率发生显著的 变化。  3 ）半导体的光电效应。光照不仅可以改变半导体 的电导率，而且可以产生电动势。 1.1 半导体基础知识 1.1.2 N型半导体和P型半导体  本征半导体中掺入少量的五 价元素，使每一个五价元素 取代一个四价元素在晶体中 的位置，可以形成N型半导 体。  在N型半导体中以自由电子 导电为主，自由电子称为多 数载流子（简称多子），而 空穴称为少数载流子（简称 少子）。 N型半导体的共价键结构 1.1 半导体基础知识 1.1.2 N型半导体和P型半导体  本征半导体中掺入少量的三 价元素，使每一个三价元素 取代一个四价元素在晶体中 的位置，可以形成P型半导 体。  在P型半导体中，空穴数远 大于自由电子数，以空穴导 电为主，空穴称为多数载流 子，而自由电子称为少数载 流子。 P型半导体的共价键结构 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结的导电特性 1. PN结的形成  在一块本征半导体上，通过掺杂使一侧形成N型半导体， 另一侧形成P型半导体，则在两种半导体交界面上形成一 个很薄的空间电荷区，叫做PN结。 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结的导电特性 2. PN结的单向导电性  （1 ）外加正向电压 在正常工作范围内，PN结上外加电 压只要稍有变化，便能引起电流的显著变化。这样，正向 的PN结表现为一个很小的电阻。 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结的导电特性 2. PN结的单向导电性  （2 ）外加反向电压 PN结在反向偏置时，可认为基本上 是不导电的，表现为一个很大的电阻。 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结的导电特性 2. PN结的单向导电性  由此可见，PN结正向偏置时，正向电阻很小，形成 较大的正向电流；PN结反向偏置时，呈现较大的反 向电阻，反向电流很小，这就是PN结的单向导电 性。PN结具有单向导电性的关键是它的阻挡层的存 在及其随外加电压而变化。 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN结的导电特性 3. PN结的击穿  当加于PN结的反向电压增大到一定数值时，反向电流突然 急剧增大，这种现象称为PN结的反向击穿。对应于电流开 始剧增时的电压称为反向击穿电压。  PN结击穿分为“雪崩击穿”和“齐纳击穿”。  发生以上两种电击穿时，当反向电压下降到击穿电压以下 时，PN结的性能仍能恢复到原来的状态。  热击穿是不可恢复的，在应用中应尽量避免。 1.2 二极管的基本特性 1.2.1