模拟电子技术与实训 教学配套课件 罗厚军 第1章 半导体器件最新.pdfVIP

第1章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 二极管 1.3 晶体管 1.4 场效应晶体管 1.5 半导体器件技能训练 1.1 半导体基础知识 1.1半导体基础知识 1.1.1 半导体特点 1.物质的导电性 导电性能介于导体和绝缘体之间的物质叫半导体。 自然界的物体根据其导电性能的强弱可分为导体、绝缘体和 半导体三大类。 导体如铜、铁、银等金属材料，导体导电能力很强，电阻率 一般小于10-4 Ω/cm。 绝缘体如塑料、橡胶、陶瓷、云母等材料，导电能力很差， 10 电阻率一般大于10 Ω/cm。 半导体如硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）及其一些氧 -3 9 化物和硫化物等，电阻率在10 ~10 Ω/cm的范围内。 1.1 半导体基础知识 常用的半导体材料有硅和锗，硅原子和锗原子的电子数分 别是14和32，所以它们最外层的电子都是四个，是四价元素。 它们的原子结构简化模型如图1-1所示。 图1-1 硅和锗的原子结构简化模型 1.1 半导体基础知识 每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围 相邻的4个原子发生联系，相邻的原子就被共有的价电子联系在一 起,称为共价键结构。如图1-2所示。 图1-2 硅和锗的晶体结构 1.1 半导体基础知识 2.本征半导体 纯净的不含任何杂质、晶体结 构排列整齐的半导体晶体称为本征 半导体。 当温度逐渐升高或有一定强度 的光照时，晶体中少量的价电子因 热激发获得了足够的能量，可以挣 脱共价健的束缚而成为带负电荷的 自由电子，同时在原来的共价键位 置上留下一个相当于带有正电荷的 空穴，如图1-3。 图1-3 热激发产生的自由电子与空穴 1.1 半导体基础知识 3.杂质半导体 ⑴ N型半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的五价磷元素，可使自由电 子的浓度大大增加，自由电子成为多数载流子，简称多子，空穴 成为少数载流子，简称少子，由于主要靠电子导电，故称为电子 型半导体，简称N型半导体。 图1-4 N型半导体的形成及结构示意图 1.1 半导体基础知识 (2) P型半导体 在本征半导体硅或锗中掺入微量的三价硼元素,则空穴的浓度 大大增加，空穴成为多子, 而自由电子为少子。这种以空穴导电为 主的半导体称为P型半导体。 图1-5 P型半导体的形成及结构示意图 1.1 半导体基础知识 1.1.2 PN结单向导电性 在一块本征半导体上通过某种掺杂工艺把P型半导体和N型 半导体结合起来，则在它们的交界处就会形成一个具有特殊性 质的薄层，称为PN结。 1. PN结的形成 P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于该两种半导体 多子不同，其交界面两侧的电子和空穴存在浓度差，会出现多 数载流子电子和空穴的扩散运动。N区内自由电子多、空穴少， 而P区内空穴多、自由电子少。这样，自由电子和空穴都要从浓 度高的区域向浓度底的区域扩散，如图1-6a所示。 1.1 半导体基础知识 扩散的结果是在N区留下带正电的离子，而P区留下带 负电的离子，它们集中在交界面两侧形成一个很薄的空间 电荷区，也就是PN结，如图1-6b所示。在这个区域内自由 电子和空穴成对消失而复合，它们相互耗尽了，没有载流 子，空间电