α谱仪测金硅面.docVIP

冯晨 实验报告 实验名称：用α谱仪测量α粒子射程 实验目的：1.了解 α 谱仪的工作原理及其特性2. 掌握应用谱仪测量α 粒子能谱的方法。 2测量α 粒子 图1 α谱仪系统示意图 实验原理： 1：金硅面垒探测器是用一片 N 型硅，蒸上一薄层金（10-20nm） ，接近金膜的那一层硅具有 P 型硅的特性，这种方式形成的 PN 结靠近表面层，结区即为探测粒子的灵敏区。探测器工作时加反向偏压。α 粒子在灵敏区内损失能量转变为与其能量成正比的电脉冲信号，经放大并由多道分析器测出幅度的分布， 从而给出带电粒子的能谱。 偏置放大器的作用是当多道分析器的道数不够用时，利用它切割、展宽脉冲幅度，以利于脉冲幅度的精确分析。为了提高谱仪的能量分辨率，探测器要放在真空室中。另外金硅面垒探测器一般具有光敏特性，在使用过程中，应有光屏蔽措施。 金硅面垒型半导体 α 谱仪具有能量分辨率高、能量线性范围宽、脉冲上升时间快、体积小和价格便宜等优点，在 α 粒子及其它重带电粒子能谱测量中有着广泛的应用。 带电粒子进入灵敏区，损失能量产生电子孔穴对。形成一对电子空穴所需的能量 ω，与半导体材料有关，与入射粒子的类型和能量有关。对于硅，在 300K 时，ω 为 3.62eV，77K时为 3.76eV。 对于锗， 77K 时 ω 为 2.96e