数字电子技术项目教程 教学配套课件 朱祥贤 主编 项目八.pdfVIP

数字电子技术 项目八- 用FPGA 实现计数器 项目要求：  以MAX+plus II为开发环境，利用FPGA典型 芯片实现计数器等各种数字电路或系统。 项目目标：  了解RAM、ROM的功能和结构；  掌握PAL、GAL等的结构和使用；  了解FPGA、CPLD结构；  掌握用MAX+plus II设计数字电路的方法。 项目简介：  可编程逻辑器件（programmable logic device，PLD）是20 世纪80年代发展起来的有划时代意义的新型逻辑器件，PLD 是一种由用户编程以完成某种逻辑功能的器件。不同种类的 PLD大多具有与、或两级结构，且具有现场可编程的特点。 作为一种理想的设计工具，可编程逻辑器件给数字系统的设 计者带来了很多方便。使用这类器件，可及时方便地研制出 各种所需要的逻辑电路，它简化了系统设计，保证了系统的 高性能、高可靠性、有效地降低了系统的成本。  随着系统复杂性越来越高，大规模可编程逻辑器件获得空前 发展。复杂可编程逻辑器件（complex programmable logic device，CPLD ）和现场可编程的门阵列(field programmable gate array，FPGA)就是这一类理想器件。 专题1 存储器 专题目标：  了解ROM的一般结构；  了解ROM的分类及各自工作原理；  了解RAM的一般结构；  了解RAM的分类及各自工作原理。 8.1.1只读存储器ROM  只读存储器ROM属于数据非易失性器件，在外加电源消失 后，数据不会丢失，能长期保存。按照其数据写入方式的不 同，将它分成掩模式ROM、可编程ROM(PROM)和可擦除 可编程ROM(EPROM)。  地址译码器的作用是将输入的地址代码转换成相应的控制信 号，利用这一控制信号从存储矩阵中将指定的单元寻找出， 并将该单元中的存储数据送入输出缓冲器。输出缓冲器提高 存储器的带负载能力，将输出电平调整为标准的逻辑电平 值，实现对输出状态的三态控制，以便于ROM与数字系统 的数据总线联接。 1、掩模式只读存储器(固定ROM)  用户按照使用要求确定存储器 的存储内容，存储器制造商根据 用户的要求设计掩模板，利用掩 模板生产出相应的ROM。它在使 用时内容不能更改，只能读出其 中的数据。 2、可编程只读存储器(PROM)  PROM是一种仅可进行一次编程的只读存储器，用户通过对 其内部存储单元编程一次，可获得所需存储内容的ROM。 熔丝型PROM存储单元的原理电路图 16×8位的PROM结构原理图 3、可擦除可编程只读存储器(EPROM)  与PROM不同，可擦除可编程ROM(EPROM)中的存储数据 是可以擦除、可以重写的。根据EPROM数据擦除、写入方 式的不同，又分为紫外线可擦除可编程ROM(UVEPROM)、 电可擦除可编程ROM(E2PROM)和快闪式存储器(Flash Memory)等3种。  在写入状态下，将需要写入1的存储单元中叠栅MOS管的漏极，经位线 接至一较高的正电压(一般为+6V)，VSS接低电平，同时在控制栅上加一 个幅度+12V左右、脉宽约为10µs的正脉冲，这时叠栅MOS管漏一源极 之间将发生雪崩击穿，一部分速度快的电子便穿过氧化层到达浮栅，形 成浮栅充电电荷。浮栅充电后，漏极正电压消失，这时叠栅MOS管的开 启电压为7V 以上，当字线上加上正常的高电平(+5V)时，叠栅MOS管不 会导通，即该单元写入数据1。闪存的擦除操作利用隧道效应进行，由 于闪存芯片内所有的叠栅MOS管的源极是连在一起的，所以在进行擦除 操作时，片内的全部存储单元同时被擦除，速度较快。 8.1.2随机存储器  RAM又名随机读/写存储器，它在工作时，在控制信号的作 用下，随时从任何指定地址对应的存储单元中读出数据或向 该单元写入数据，它的最大优点是读写方便、快速，最明显 的缺点是数据易失，即一旦