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第十一單元 電子材料 我國IC製造業的實力，已隨著晶圓代工業者對外拓展國際版圖，以及DRAM)業者積極地與國際領導廠商進行策略聯盟下，在走向成為全球IC)產業製造中心路上，已具備了十足的架式。我們無論是就國內八吋晶圓廠產能的快速增加，或是對於十二吋晶圓廠的積極籌設來看，台灣已是全球IC晶圓廠密度最高的地區，而晶圓廠又是IC生產製造所不可欠缺的孕育基地所在，若再考慮台灣擁有全球最專業的專業分工體系時，台灣成為全球IC生產基地已有主觀的優勢存在。IC產業IC產業energy band)。(圖三)所示為絕緣體、半導體、導體的能帶圖示，其中價電帶(valence band)為價電子存在區域;傳導帶(conduction band)表示其中的電子可自由移動來傳導電流;而價電帶與傳導帶間的能量間隔則稱為能隙(energy gap)。能隙愈大表示需要愈大的能量，才能使價電子移動至傳導帶，所以能隙較小的物質較容易導電。能隙的單位通常以電子伏特(eV)表示，leV=1.6x10-19焦耳。 當溫度升高時，由於晶體結構受到環境熱能的影響，某些共價鍵可能因振動劇烈而受到破壞，造成價電子脫離共價鍵成為自由電子(free electron)，如(圖四)所示。在價電子離開共價鍵後，會在原價電子處留下一個空缺，此一空缺容易吸引電子來填補(此空缺就如同正電荷般能吸引鄰近的電子)，我們稱這樣帶有正電荷性質的空缺為電洞(hole)。 當有一個電壓作用在該材料上時，傳導帶內的電子將朝正極的方向加速前進，而電洞則朝負極的方向加速前進。如此，電流就藉著電子與電洞的運動來傳導，此時電洞的作用就如同帶正電的電子。具有這種行為的材料稱為本質半導體(intrinsic semiconductors)。 \ 圖一 矽原子的結構 圖二 矽晶體的共價鍵結構 圖三 絕緣體、半導體及導體的能帶 圖四 當一能量作用在半導上時，電子移動通過傳導帶，而電洞則朝反方向移動通過價電帶 2、異質半導體(extrinsic semiconductor) 精確地控制本質半導體的行為相當困難，因為只要溫度略為改變本質半導體的導電度就有顯著的變化。然而，經由在某些材料中加入少量的雜質,我們即能製造出一種異質半導體(extrinsic semiconductor)。異質半導體的導電度主要是由雜質原子[或稱參雜劑(dopand)]的數目所決定，並且在某個溫度範團內更是與溫度無關。因此，異質半導體的導電度是可控制且是穩定的。 n型半導體(n-type semiconductor) 如果我們在矽或鍺中加入五價的雜質原子(例如銻)，則銻原子的四個電子將參與共價鍵結合作用，而多餘的一個電子將進入一個稍低於傳導帶的施體能帶(donor band)(圖五)。因為該多餘的原子末被原子緊繫住，所以只需小量的能量，就能使該電子進入傳導帶內。但是當該施體電子進入傳導帶內時並不會產生相對應的電洞。 圖五 當一價數高於四的摻雜劑原子被加入矽中時，將引介一多餘電子並產生一個施體能帶。此時電子就更容易受激發而進入傳導帶內 p型半導體(p-type semiconductor) 當我們把三價的雜質原子(例如鎵)加入一半導體內時，將造成電子數目不敷完成共價鍵結合之所需。因為這個緣故，價帶內將產生一個電洞，而該電洞可由價帶內其他位置的電子來填充(圖六)。電洞的作用就像電子的受體(acceptor)。電洞的位置具有比一般電子略高的能量，而在略高於價帶的地方產生一個受體能階(acceptor level)。為了在價帶內產生一個電洞必須(而且只要)讓一個電子獲得能量，然後電洞就能夠移動並傳導電荷。此種半導體稱為p型半導體。 圖六 當一價數少於四的摻雜劑原子進入矽的晶格時，將產生一個電洞，並在略高於價帶的地方產生一個受體能階。激發電洞使電洞運動所需的能量很小 3、化合物半導體(chemistry semiconductor) 矽與鍺是僅有的可實際製成半導體的元素。然而，有許多種化合物都具有相同的效果。一般將這些化合物區分為兩大類—計量半導體與非計量(或缺陷)半導體。 表一 半導體化合物的能隙 計量半導體(stoichiometric semiconductors)通常是金屬間化合物，它們的結晶結構與能帶結構與矽及鍺相似。若干實例列在(表一)。由週期表中的Ⅲ族與V族元素組成的化合物是標準的實例。由Ⅲ族的鎵和V族的砷結合成的化合物砷化鎵(GaAs)中的原子平均有四個價電子。 非計量或缺陷半導體(nonstoichiometric or defect semiconductors)為含有過剩的陰離子(形成p型半導體)或過剩的陽離子(形n型半導體)的離子化合物。許多氧化物和硫化物都具有這種行為。例如，如果我們把一個多餘的鋅原子加入ZnO內