氢化对ZnO发光性质的影响.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２９ ３ 犞狅犾．２９ 犖狅．３ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００８ ３ 犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犕犪狉．２００８ 氢化对犣狀犗发光性质的影响  张源涛 马 艳 张宝林 杜国同 　 　 　 　 （集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区，吉林大学电子科学与工程学院，长春　１３００１２） 摘要：通过低温光致发光（ ）谱研究氢化对 发光性质的影响 氢通过一个直流等离子体发生装置引入到 晶体 犘犔 犣狀犗 ． 犣狀犗 ． 研究发现氢的引入影响了束缚激子的相对发光强度，特别是氢化以后 峰（ ）的强度增加 与未氢化样品相比较， 犐 ３３６３犲犞 ． ４ 氢化样品显示出不同的温度依赖 谱 在 温度下，测量了氢化样品表面以下不同深度处的 谱 研究发现 峰的 犘犔 ． ４２犓 犘犔 ． 犐 ４ 强度和 峰与 峰强度比随深度变化而变化，说明了在引入的氢和浅施主之间的直接联系 一般而言，氢化会增强带边发 犐 犐 ． ４ ８ 射并钝化绿光发射． 关键词： ；氢化； 谱 犣狀犗 犘犔 ： ； ； 犘犃犆犆 ７２８０犈 ７８５５犈 ７８６５犓 中图分类号： ＋ 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０４２ ５ 犃 ０２５３４１７７２００８０３０５２６０４ 　　　 　　　 偏压为 氢化时间为 ，在氢化处理过程中样 ３００犞． ３０犿犻狀 引言 品温度保持在 ，装置气压保持在 为了研究 １ ３５０℃ １犿犫犪狉． 　 氢扩散深度对 犣狀犗发光特性的影响，氢化样品表面在 是一种宽禁带半导体，由于它在光电器件方 一个小角度下（ ）被抛