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半导体硅材料最新发展现状 蒋荣华 肖顺珍 峨眉半导体材料研究所 四川 峨眉山 614200) 摘要 概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求 叙述了近年来国际半导体多晶 硅和单晶硅材料的发展状况与趋势 关键词 半导体硅 多晶硅 单晶硅 + 中图分类号 TN304.12 文献标识码 A 文章编号 1003-353X200202-0003-04 JIANG Rong-huaXIAO Shun-zhen Sichuan 614200China) (Emei Semiconductor Material Research Institute Abstract: reviewed. Keywords: semiconductor Sipolycrystal Simonocrystal Si 关和处理电讯号及能量转换的功能 而使 半导体 1 前言 硅 实际上成了 微电子 和 现代化电子 的 从目前电子工业的发展来看 尽管有各种新型 代名词 的半导体材料不断出现 但90%以上的大规模集成 半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电 电路 LSI)超大规模集成电路 VLSI甚大 子元器件以来 其用量平均大约以每年12%16% 规模集成电路 ULSI)都是制作在高纯优质的硅抛 的速度增长 目前全世界每年消耗约1800025000 光片和外延片上的 可以说在未来3050年内 硅 吨半导体级多晶硅 消单晶硅 硅 材料仍将是LSI工业最基础和最重要的功能材料 片销售金额约6080亿美元 电子工业的发展历史表明 没有半导体硅材料的发 半导体硅材料分为多晶硅 单晶硅 硅外延 展 就不可能有集成电路 电子工业和信息技术的 片以及非晶硅 浇注多晶硅 淀积和溅射非晶硅 发展 等 半导体硅材料以丰富的资源 优质的特性 日 现行多晶硅生产工艺主要有改良西门子法和硅 臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了 烷热分解法 主要产品有棒状和粒状两种 主要是 当代电子工业中应用最多的半导体材料 它还是目 用作制备单晶硅以及太阳能电池等 前可获得的纯度最高的材料之一 其实验室纯度可 生长单晶硅的工艺可分为区熔 FZ和直拉 达12个 9 的本征级 工业化大生产也能达到 CZ两种 区熔单晶硅 FZ-Si主要用于制 7 11个 9 的高纯度 由于它的性能优良 使 作电力电子器件 SR SCRGTO等 射线 其在射线探测器 整流器 集成电路 IC)硅 探测器 高压大功率晶体管等 直拉单晶硅 CZ- 光电池 传感器等各类电子元件中占有极为重要的 Si)主要用于制作LSI晶体管 传感器及硅光电池 地位 同时 由于它具有识别 存储 放大 开 等 February 2002 3 硅外延片 EPI)是在单晶衬底片上 沿单晶的 2.1对硅片表面附着粒子及微量杂质的要求 结晶方向生长一层导电类型 电阻率 厚度和晶格