パワー半导体の世界市场に関する调査结果 2011.pdfVIP

2012 年 1 月 19 日 パワー半導体の世界市場に関する調査結果 2011 －2012 年前半は厳しい市場環境が続くが、後半より緩やかな増加基調に転じる－ 【調査要綱】 矢野経済研究所では、次の調査要綱にてパワー半導体の世界市場について調査を実施した。 1．調査期間：2011 年 9 月～12 月 2．調査対象：パワー半導体メーカ、カーエレクトロニクスメーカ、ウエハメーカ 3．調査方法：当社専門研究員による直接面談、電話・e-mail によるヒアリング、ならびに文献調査併用 ＜パワー半導体とは＞ 主にインバータ/コンバータ回路で使われており、電力のスイッチングや変換、モータ制御等で必要となる 半導体素子である。本調査では、パワーMOSFET （Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）/IPD （Intelligent Power Device）やダイオード、IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーモジュール、バイポーラ トランジスタ、SiC デバイスを含む。 【調査結果サマリー】 2011 年におけるパワー半導体の世界市場は、2010 年から引き続き新興国向けの需要が拡大し、 156 億 7,000 万ドルに達する見込み 2011 年前半（1～6 月）におけるパワー半導体の世界市場は、3 月頃より民生機器や欧州における太陽 光発電向けの受注が鈍り始めていたが、新興国向けの需要が市場を牽引し、前年を上回るペースで増 加基調が続いた。8 月下旬から中国向けの需要が減少しているが、通年で見ると前年比 10.4%増の 156 億 7,000 万ドルとなる見込みである。 ◆ 2011 年のパワー半導体市場は IGBT が市場を牽引し、2009 年と比較して市場全体に占める IGBT の割合は 12.4%上昇 2011 年の市場規模をデバイス別に分析すると、IGBT が市場全体の 29.5% （46 億 2,000 万ドル）を占め ている。新エネルギー、白物家電、次世代自動車（HV/EV）向けの IGBT モジュールの需要拡大が進み、 2009 年の市場規模と比較すると、全体に占める割合は 12.4%上昇する見通しである。 2013 年から増加基調に戻る可能性が高く、2017 年におけるパワー半導体の世界市場は 261 億 2,000 万ドルになると予測 2011 年後半から太陽光発電向け投資の冷え込み、欧州の債務不安、中国における設備投資の低迷な どが続いており、2012 年前半のパワー半導体は厳しい市場環境となる。ただし、民生機器における在庫 調整が一巡する 2012 年後半から緩やかな増加基調に戻る可能性が高い。中長期的には、中国における エアコンの省エネ基準の改定、欧州における洋上風力発電の進展、次世代自動車（HV/EV）の普及拡大 など期待され、2017 年のパワー半導体の世界市場は 261 億 2,000 万ドルになると予測する。 ◆ 資料体裁 資料名：「進展するパワー半導体の最新動向と将来展望 2011-2012」 発刊日：2011 年 12 月 15 日 体 裁：A4 判 124 頁 定 価：136,500 円（本体価格 130,000 円 消費税等6,500 円） 株式会社 矢野経済研究所 所在地：東京都中野区本町2-46-2 代表取締役社長：水越 孝 設 立：1958年3月 年間レポート発刊：約250 タイトル URL: http://www.yano.co.jp/ 本件に関するお問合せ先（当社 HP からも承っております http://www.yano.co.jp/） ㈱矢野経済研究所 営業本部 広報チーム TEL ：03-5371