东南射频集成电路讲义 - 东南大学射频与光电集成电路研究所 陈志恒 , Oct-24, 2002.pdfVIP

《射频集成电路设计基础》讲义 有源器件和模拟电路基础－I 引言 附录 半导体中的一维电场和电位 数、模电路的不同工艺要求 接触电压(Contact Potential) 半导体理论基本概念 外延和非外延工艺 MOS场效应管初步 参考文献 东南大学射频与光电集成电路研究所 陈志恒, Oct-24, 2002 ↵ 1 of 39 引言 • 无线接收/ 发射系统由一些工作在不同频率、不同信号电平，具有不同 功能的电路模块组成，由于存在这种种不同，这些模块也常常采用不同 类型的工艺和器件 • 每种工艺都有自身的优缺点，具体工艺的选择取决于多方面的因素，技 术上的优势固然重要，经济因素( 成本、上市时间等) 往往起到决定性的 作用 • 再先进的工艺也会被淘汰，电路设计的目的在于充分发挥现有工艺的优 势，以最小的代价实现符合指标要求的电路功能，因此必须深入地学习 有关工艺的知识，但更要熟练掌握电路设计基本原理和技术，不受制于 某一种具体工艺 • 我们将主要讨论CMOS 工艺，请注意区分电路设计所涉及的共性部分和 CMOS 电路所特有的内容 射频集成电路设计基础 有源器件和模拟电路基础－ I 引言 ↵ 2 of 39 数、模电路的不同工艺要求 • 数字电路 – CMOS = Low Power ? – 功耗[1] Power ∝ C V2 f (1) L dd » 降低Vdd ( 须降低Vth 以保持速度) » 控制信号变化频度(Coding, Gated Clock, etc.) » 减小有效的负载电容(Scaling) – 速度 C V L dd Delay ∝ (2) I – 功耗延时积( 假设I 正比于V2 ) ：P × T ∝ C2 V dd d L dd – 噪声容限、集成度、成品率... 射频集成电路设计基础 有源器件和模拟电路基础－ I 数、模电路的不同工艺要求 ↵ 3 of 39 • 模拟电路 – 更多维的设计空间，更复杂的利弊权衡(trade-off) » Speed-Accuracy-Power » CMOS = Low Power ?