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兼具现代超结器件和传统高压MOSFET优点的新一代CoolMOS?系列 2010年05月05日10:28:14作者：Holger Kapels博士和Gerald Deboy博士，英飞凌科技股份公司 自1998年进入市场以来，超结器件（SuperJunction）在高压MOSFET市场上所占的份额稳步上升。多年以来，此类产品的厂商竞相减低单位面积上的最低导通电阻RDS(on)。在特定硅面积的情况下，持续降低导通电阻也使得器件的开关速度不断提高，从而降低应用上的开关损耗。但高开关速度，也增加了应用难度。 在目前的开关电源应用中，开关速度本身已经不是制约效率提高的因素。因此，除了对开关器件本身进行优化之外，还需要全盘考虑整个系统。 英飞凌的新一代CoolMOS?C6系列高压MOSFET既具有现代超结晶体管的优点，如极低的单器件导通电阻和低容性损耗，又加强了开关控制性能和体二极管硬换流抗受能力。 概述 CoolMOS? C6乃英飞凌向市场推出的新一代高压MOSFET。第一代S5产品的导通电阻很低，已经突破了硅极限。下一代C2产品和在市场上广受欢迎的C3系列产品，特别是CoolMOS? CP系列产品，不仅更降低了导通电阻，也具备了更快的开关速度。C3为通用功率器件，本身已经成为一种标准。而CP则适合同时要求最快开关速度和超低导通电阻的各种应用。由于CP系列产品可达到极高的开关速度，应用上需要对电路板布局和布线加以特别注意，避免栅极和源极电路中产生寄生电容和电感。因此，CP系列产品在高效率应用上仍然保持着标杆地位。 英飞凌推出新的CoolMOS? C6产品系列的目的在于，使客户更容易更有效的控制开关速度，大幅提升其抗电路板寄生电感和电容的性能，从而显著提高该器件适应各种非理想电路环境的能力，并保持了CP产品系列各种优势（如超低的导通电阻）。 工作原理 Coe和Fujihira发明了超结理论，这标志着高压MOSFET领域取得了实质性突破。早在上个世纪70年代，飞利浦的研究人员就发现，在N型导电有源区平行地添加一层P掺杂层，可以显著提高横向晶体管的击穿电压。这个在其著作中被称为“降低表面电场”或RESURF原理的概念，被应用于多水平层和垂直功率MOSFET。但是，这些结构的制造非常困难，直至1998年，CoolMOS?的引入才彻底解决了商业量产的难题。 图1：传统高压MOSFET（左）与电荷补偿或超结器件（右）的结构比较 如图1所示，根据SJ原理，可以加深P导电区，以提高电流传导区的掺杂浓度，从而显著降低单位面积导通电阻。在导通状态，这种高N掺杂浓度对器件有利；而在关断状态，附加的P掺杂区对高N掺杂浓度进行补偿，使其达到与高关断电压相适应的水平。因此，利用这种概念可以突破所谓的硅极限。硅极限指传统MOSFET在给定电压等级时的最佳理论导通电阻。 单位面积导通电阻的降低，既可以在给定封装下达到极低的导通电阻，又可以在极小的半导体芯片尺寸中实现给定的导通电阻。在封装尺寸一定的情况下，极低的导通电阻，可以构建更紧凑、高效的电源。但是此优点也给器件概念方面带来两个固有的挑战：第一，器件在异常工作条件下能处理的功率损耗降低；第二，由于器件电容较低，开关速度上升。 在使用硬开关关断期间，如果栅极驱动电阻小，负载电流及时换流，对输出电容进行充电直至直流母线电压。电压上升与负载电流成比例，并与输出电容的容值成反比。由于输出电容呈非线性，高压时容值最小，所以在单端应用场合，电压接近母线电压时开关速度达到最高。采用这种控制方式时，开关速度仅受器件源极电感的限制，因此开关速度极高，特别是工作在峰值电流条件（如交流断电或副边短路）时，情况尤其如此。不过为达到最高的效率，应用上往往采用较低的栅极电阻，放弃部分的开关控制，以达到较高的开关速度。与此相反，利用高阻值栅极电阻实现的低速开关，使器件在整个关断瞬态保持准线性状态。在这种模式下，可实现对dv/dt和di/dt的完全控制，然而效率会显著降低。 CoolMOS? C6采用了新的栅极电荷、转移特性和结构组合，使其具有适中的开关速度，避免了因开关速度太高而产生的电流或电压过冲，却仍然可以在非零寄生环境中获得最佳效率。如图2所示，C6有着最低的输出电容储存能量（Eoss）。Eoss是一种对硬开关应用环境中的轻载效率的重要指标——在硬开通期间，这种能量被转换为热能消耗掉，因此它在器件的整体功耗平衡举足轻重。 在LLC变换器等谐振型拓扑结构中，中点电压从直流母线电压摆动到零所需的时间与存储在输出电容中的能量同等重要。该时间可以用积分Qoss来推导。 即 从图2中同样可以看出，C6系列产品有较低的Qoss。所以CoolMOS? C6系列产品有较低的充电时间和极低的能量Eoss。它们决定了在给定谐振器件和磁化电流时的零电压开关点