半导体材料工程-- 第3讲.pdfVIP

半导体材料工程 第三讲 半导体物理基础（2 ）  载流子的分布和运动 主讲教师：兰爱东 热平衡（Thermal Equilibrium ） 没有外力施加:  电场E = 0, 磁场B = 0  机械应力= 0  没有光照 在动力学中每一个过程都被其反过程平衡。  电子—空穴对 （Electron-hole pair，EHP）产生速率= 电子—空穴对复 合速率 热激发（Thermal agitation ）电子和空穴彼此或与晶 格交换能量导带和价带的每一个能态都有一定的几率被 一个电子占据。 热平衡的类比 沙粒 碗 振动的桌子  对导带中电子来说，由于热激发，它们有一定的几率 占据导带中更高的能态。 费米分布函数  电子占据一个能量为E 的能级的几率由费米分布函数表达： 1 f (E ) 1e(E EF ) / kT EF 称为费米能或费米能级  对于处于平衡态的系统有唯一的费米能级 If E E : F If E E : F If E = E : F 半导体中的费米能级EF 费米分布的形象表示 下图从左到右形象描绘出了能级分布,费米分布及 本征半导体与空穴在能带中的分布情况. a)能级分布图 b) 费米分布曲线 c) 电子与空穴的分布d) 载流子浓度 不同温度下费米分布函数随(E-E )的变化关系 F a) T=0K b)T0K(T T ) 2 1 温度对费米分布函数f (E)的影响 T=0 温度增加 波耳兹曼近似 If E EF 3kT, f (E) e(E EF ) / kT If EF E 3kT, f (E) 1e(E EF )/ kT 空能级（被空穴占据）被占据的几率： 1f (E) e(E EF )/ kT e(EF E )/ kT 载流子的平衡分布 N型载流子浓度n(E) 的计算方法 n(E) g C (E) f (E) 能带图 能态密度 E 填充几率 载流子分布 电子 EC EC g (E) C