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半导体材料工程 第四讲 半导体物理基础（3 ）  载流子的漂移，扩散，非平衡载流子 主讲教师：兰爱东 复习1：杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响，一些典型的数据 如下: 1 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.5 ×1010/cm3 2 掺杂后N 型半导体中的自由电子浓度: n=5 ×1016/cm3 3 本征硅的原子浓度: 4.96 ×1022/cm3 6 3 以上三个浓度基本上依次相差10 /cm 。 复习2：载流子的漂移 （Carrier Drift ）  当外界电场作用在半导体上，可移动的荷电载流子将被静电场力 加速。这个运动将叠加在电子的随机的无规运动上。 2 3 1 electron 4 5 E  由于散射的存在，电子在半导体中不会获得持续的加速，但它们 可以被看作准经典粒子在电场e, 的作用下，在以不变的平均漂移 速度v 运动。 d vd me m是载流子的迁移率 漂移电流 （Drift Current) vd t A = 在时间t 通过平面的空穴所在的体积 p vd t A = 在时间t 通过平面的空穴数目 q p vd t A =在时间t 通过平面的电荷数目 q p v A = 单位时间内通过平面的空穴数= 空穴电流 d 单位面积的空穴电流 J = q p vd 电导率和电阻率 (Conductivity and Resistivity) J qnv qnm e n,drift dn n J qnv qnm e p ,drift dp p J J J e (qnm qpm )e drift n,drift p ,drift n p qnm qpm 半导体的电导率是 n p 电阻率是电导率的倒数1 /  电阻率单位: 欧姆厘米(cm) 电阻率和掺杂浓度的关系 对n-type 材料: 1