固体光学2.doc

第五章 杂质和缺陷的光谱 有不少固体是结构敏感的，它们许多性质不仅决定于固体的基体结构，还与固体中占很小百分比的杂质或缺陷有密切的关系。半导体便是这类同体的典型一族。 大多数情况下，在半导体或电介质当中的杂质和缺陷，与基体的原子相比．其浓度要小得多。这些杂质或缺陷一般在固体能带结构的禁带当中引入非本征的、分立的能级，具有定域的电子波函数。当然，若加入的别种原了多到一定程度，便不能简单地把它们看作杂质，这时将形成固溶体、合金或化合物等。同样，若缺陷多到一定程度，晶格无序很厉害，就不宜把之看作分立的点缺陷了。晶格无序进 一 步发展下去，最后可变为无定形态，或称非晶态。固溶体、合金、化合物以及无定形材料的光学性质，自然与纯晶体颇不相同。 至于杂质和缺陷对固体的光学性质的影响，只有在本征光学效应很小的条件下才容易显现出来．杂质或缺陷的光谱通常是叠加在固体基体原有的光谱的．一般而言，由于固体基体原有的介电常数ε有明显的数值，故杂质和缺陷对ε的影响不大．至于电导率σ，由于金属的σ在通常的光频范围内已具有颇大的值，杂质和缺陷对金属的σ的贡献也不大；但是，对于绝缘体或半导体，当光子能量hμ小于固体的禁带宽时基体的σ(以及相应的吸收系数)接近于零，这时杂质和缺陷便可以对σ有可观的贡献．例如，1015cm-3的杂质或缺陷能引起数量级为1cm-1 的吸收系数，而本征吸收与之相比要大5个或6个数量级，但对于小于禁带宽、末产生本征吸收的光频范围，杂质和缺陷的跃迁便能产生可观的效应，可通过精密实验测量出来。 本章介绍几类重要的杂质缺陷光谱，各有其特点和一定的典型性．类氢能级是一类松束缚态，这时只需考虑电子与光子的互作用，不用计及声子的影响，可以用较简单的类氢模型来加以描述和分析。紧束缚态能级与类氢能级不同，其波函数定域性很强，有关的理论也较复杂，一般而言，其光谱与杂质元素本身的原子能级有密切关系．色心是—类能赋给固体以一定颜色的缺陷，分析其光谱时除了考虑光子与电子的互作用外，还要考虑晶格振动的作用． 现代对固体中的杂质和缺陷的研究范围很广，如深能级杂质、杂质缺陷复合体等等，本书不准备一一加以介绍．本章介绍的几类杂质缺陷光谱的基础知识和基本概念，有助于了解和分析更复杂的杂质缺陷情况． 5-1类氢能级谱 硅和锗半导体中，Ⅲ族杂质(如B、Al、Ga、In)与Ⅴ族杂质(如P、As、Sb、Bi)分别是受主与施主,它们产生的定域态均相应于类氢能级．Kohn曾写过一篇关于硅与锗中类氢能级的评述性文章。 类氢能级光谱与氢原子光谱很相似，由一系列满足一定关系式的谱线组成．氢原子中—个电子围绕原子核(即质子)运动，而类氢能级杂质情况下是一个电子(或者一个空穴)围绕固体中某一正电荷(或者负电荷)运动．两者不同之处在于后音处在固体之中，受固体其他原子和电子的影响．具体的影响主要有两点：—是在ε/ε0不等于1的介质中，二是电子(或空穴)的有效质量m﹡ 其中Wn是能级相对于能带边的位置，m﹡是在带边处载流子的有效质量(对于施主,它是电子有效质量；对于受主，它是空穴有效质量)，Ke是相对介电常数，等于，WH是氢原子电离能，WH=13.6Ev,n是正整数．即n＝1,2，3，… 从式(5-1)可看出,类氢能级与氢能级不同之处在于m﹡与Ke两个因素．但是，介电常数的影响为什么与KE的平方项成反比、而不是与Kc成反比呢?这一点读者可思考—下(注意波函数半径的变比)． 由于固体中有效质量m﹡常常是各向异性的，因此考虑了各向异性有效质量条件下得到的更精确的解，比式(5-1)有更复杂的形式，这里不去详述．半导体中的空穴能带常常是简并的，具有轻空穴带与重空穴带，式（5-1）中的m﹡也可看成两种空穴综合贡献所对应的有效质量。 图5-1是Burstein等在低温下测得的Si中B、Al和In的吸收谱。由图可见，硅中每种杂质的谱都有几根谱线，并且在光子能量高一些的地方出现连续谱。前者对应于从杂质基态到激发态的跃迁，后者则是从杂质基态到能带（连续态）的跃迁。到连续态的跃迁产生可动的载流子，引起光电导；而到定域的激发态的跃迁则不能产生光电导。 图5-2是Si中P、As、Sb的能级测定值与用类氢模型算出的能级值得对比。图中最低的能级是杂质基态，即n=1.由图5-2可见，在这点上理论值与实验值有比较大的差别，并且不同元素的杂质的能级实验值也不同，As的最低，Sb的最高。请注意，类氢模型的有效质量理论仅仅区别杂质是施主抑或受主，而不区分它们是那种元素的原子。对于激发态，即n≥2,则理论与实验相符较好。为什么激发态的理论结果比基态的要好呢?考虑一下杂质定域态波函数的空间分布范围。便会得到答案．按照类氢模型的理论，波函数的半径为 (5-2) 式中rH是氢原子基态的波函数半径．即玻