场发射显示器硅发射源之制程与特性研究.pdfVIP

摘要 Induction coupling plasma etching, ICP 本論文利用感應耦合式電漿蝕刻系統（ ） Field emission array, 在矽晶圓上製作超尖銳場發射顯示器之矽發射源陣列 （ FEA ）。首先 ，利用感應耦合式電漿蝕刻 方式 ，以等向性蝕刻形成窄頸錐狀結構 。 再將窄頸錐結構進行濕式熱氧化製程 ，以達到矽發射源尖銳化的目的。接著使用 Sputter Electron beam evaporation 濺鍍 （ ）與電子槍蒸鍍 （ ）系統先後沈積氮化矽 與金屬鉻作為絕緣層以及閘極層 。最後 ，以二氧化矽蝕刻液將二氧化矽舉離 Lift-off Anode plate Screen printing （ ），露出 尖銳的矽場發射源。陽極版 （ ）以網印 （ ） 的方法 將 ZnS 螢光粉塗佈在鍍氧化銦錫的導電 玻璃上 。以及量測場發射電流特 性以及發光效應的測量 。結果發現 ，起始電壓 約在 650V ，起始電流約為 -1 2.853×10 +A ，且電流值隨工作次數增加而急遽下降 。 關鍵詞 ：感應耦合式電漿蝕刻 、場發射源陣列、舉離、陽極板。 I Abstract In this study the ultra-sharp silicon emitters for field emission array FEA have （ ） been fabricated on silicon wafers using a combination of optical lithography and induction coupling plasma etching ICP . In the first, the isotropic etching of silicon （ ） are performed to produce neck structures by induction coupling plasma etching method. Next, the silicon neck structures are oxided to produce more sharper emitters by wet oxidation. The gate insulator and gate metal patterns are grown using sputter and electron beam evaporation system, respectively. The shaper emitters are achieve after the oxide masks were removed by lift-off method with buffered HF solutions. The anode plate with ZnS phosphor onto the indium tin oxide ITO glass, are carried