多台阶介质槽隔离的SiCOIMESFET器件.pdfVIP

　第 25 卷第 1 期 半　导　体　学　报 . 25, . 1 V o l N o 　2004 年 1 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan. , 2004 多台阶介质槽隔离的 SiCO IM ESFET 器件 龚　欣　张进城　郝　跃 ( 西安电子科技大学微电子所, 710071　西安) 摘要: 用二维器件仿真软件M ED IC I 对 SiCO I (SiC on insulato r) M ESFET 的击穿特性进行了研究, 提出了一种新 的SiCO IM ESFET 器件介质槽隔离结构, 即多台阶介质槽隔离结构. 研究结果表明, 与单介质槽隔离 SiCO IM ES FET 相比, 多台阶结构在保持高击穿电压的情况下, 可以大大提高器件的饱和漏电流和跨导. 多台阶介质槽隔离 SiCO IM ESFET 是一种兼顾高击穿电压和大电流的功率器件结构. 关键词: SiCO IM ESFET ; 多台阶介质槽隔离; 击穿电压 : 7220; 7280　　　 : 2520 ; 2560 PACC EEACC M S 中图分类号: TN 3863　　　文献标识码: A 　　　文章编号: (2004) 以对导通电流和击穿电压进行折中. 然而, 在更大功 1　引言 率的应用中, 要求既要有高的击穿电压也要有大的 导通漏电流, 因此能够兼顾导通电流和击穿电压的 SiC 由于其宽禁带宽度、高临界电场、高饱和速 器件结构才更适用于大功率的应用. 度、高热导率等超强的物理化学特性, 被认为是制造 本文提出了一种更为理想的介质槽隔离M ES 微波功率器件的良好材料. 虽然 SiC 材料具有很高 FET 结构, 即用多台阶介质槽隔离结构代替单介质 的临界电场, 但是 SiC 器件是由半导体材料、绝缘介 槽隔离结构, 可以在保证大导通电流的情况下获得 质和金属复合构成的, 每种材料的特性都制约着器 高的击穿电压. 件的性能, 特别是器件结构内部不同材料间的界面 本文研究的器件对应于在绝缘蓝宝石衬底异质 以及几何结构的边沿处往往是最薄弱的地方, 对 外延[ 2 ] 的 SiC 圆片上制造的M ESFET 器件, 为N SiC M ESFET 的研究发现, 它的击穿总是首先发生 沟耗尽型 SiCO IM ESFET. 所谓 SiCO I, 即绝缘衬底 在金属SiC 肖特基结靠近漏端的边沿处, 这是因为 [ 3 ] SiC 上, 类似于 Si 材料 SO I 结构 . SiCO IM ESFET 此处的电场集中, 文献中报道的 SiC M ESFET 的击 与体晶 SiC M