大功率IGBT模块的驱动电路及参数选择.pdfVIP

第 10 卷 　第 2 期 兰州工业高等专科学校学报 Vol. 10 ,No. 2 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　 2003 年 6 月 Journal of Lanzhou Polytechnic College J un. ,2003 ( ) 文章编号 :1009 - 2269 2003 02 - 0032 - 04 大功率 IGB T 模块的驱动电路及参数选择 刘 　燕 (兰州工业高等专科学校 电气工程系 ,甘肃 兰州 　730050) 摘要 : 根据 IGB T 模块的工作特性介绍了三种栅极驱动电路 , 即分立元件组成的驱动电路 、集成元 件组成的驱动电路 、混合驱动电路 ,并讨论了栅极驱动正向电压 、反向关断电压及 R G 参数的合理确 定 。 关 　键 　词 : IGB T ;驱动电路 ;参数选择 中图分类号 : TN 710 文献标识码 : B 　　IGB T 是 MOSFET 与双极晶体管的复合器件 。它既有 MOSFET 易驱动的特点 ,又具有功率晶体管电 流容量大等优点 。IGB T 以其独特的高耐压 、大电流 ,较低的导通压降 ,优 良的开关特性 ,使其具有很宽的应 用领域 。IGB T 频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间 ,可正常工作于几十千赫频率范围内,特别在较 高频率的大 、中功率应用中占据了主要地位 。IGB T 是电压控制型器件 ,输入电阻很大 ,工作时基本上不消 ( ) 耗功率 ,但 IGB T 的栅源极间存在着较大的电容量 几千至上万皮法 。驱动脉冲电压的上升及下降沿需要 提供数安培的充放电电流 ,才能满足它开通和关断的动态要求 ,这使得它的驱动电路也必须输出一定的峰值 电流 。IGB T 作为一种大功率的复合器件 ,要保证它安全可靠高效地工作 ,驱动电路设计及驱动参数选择是 十分必要的。 1 　栅极驱动电路 　　 IGB T 模块的驱动电路对于 IGB T 的工作效率起着决定 性的作用 。对驱动电路的要求是既要减小开关损耗 ,又要求 驱动波形好 ,振荡小 ,过冲小 。IGB T 工作于开关状态时 ,必 须对栅极进行充放电,充放电曲线如图 1 所示 ,可以看出驱 动 IGB T 需要一定的电荷量 ,也就是驱动电路必须提供一定 的驱动电压及驱动功率[1 ] 。 驱动电路必须具备两个功能 :一是实现控制电路与被驱 动 IGB T 栅极的电隔离 ;二是提供合适的栅极驱动脉冲 。 实现电隔离可采用脉冲变压器 、微分变压器及光电耦合器 。 图 1 　栅极电荷曲线 图2 为采用光电耦合器构成的分立元件 IGB T 驱动电路 。当输入控制信号时 ,光耦 VLC 导通 , 晶体管 V2 截止 ,V3 导通 ,经 VC 、V3 、R G 输出+ 15 V 驱动电压 ,使 IGB T 开通 。输入信号为零时 ,VLC 截止 ,V2 ,V4 导通 ,输出 - 10 V 电压 ,使 IGB T 截止 。由于 IGB T 具有 MOS 栅极构造 ,在开关过程中 ,栅极电流用于给栅 极充 、放电。在 V3 导通时 , 电源 + VC 通过 R G 对 IGB T 的栅极进行充电,在 V4 导通时 ,通过 R G 形成 IGB T 收稿 日期 :2003 - 03 - 10 ( ) 作者简介 :刘燕 1964 - ,女 , 山东济宁人 ,副教授. © 1994-2008 China Academic Journal Electronic Publishing House. All