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多层膜CIA预制层后硒化法制备Cu_In_1_x_Al_x_Se_2薄膜的研究.pdf
第46 卷第6 期 真 空 VACUUM Vol. 46, No. 6
2009 年11 月 Nov. 2009
多层膜CIA 预制层后硒化法制备Cu(In Al )Se 薄膜的研究
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苏 梦，薛钰芝,周丽梅,武素梅
（大连交通大学，辽宁 大连 116028）
摘 要：本文用真空蒸发法在玻璃衬底上蒸镀 Cu- In- Al 多层膜，后采用真空硒化退火获得Al 含量不同
的Cu(In Al )Se 多晶薄膜。通过 SEM 和XRD 微观形貌结构分析发现，薄膜中Al 的含量对薄膜的表面形
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貌和结构有一定影响。Al/(In+Al) 比例越大，越容易获得尺寸较小、分布比较均匀的晶粒。同时Al 含量对薄
膜的方阻有一定的影响，Al 含量越高，方阻越大。而且Al 含量的多少可以调节薄膜的禁带宽度的大小。
关键词：Cu(In Al )Se 薄膜；硒化；Al/(In+Al)
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中图分类号：TM615 文献标识码:B 文章编号 1002-0322 （2009）06-0051-04
：
Preparation of Cu （In Al Se ）thin films with CIA multilayer and selenylation process
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SU Meng, XUE Yu-zhi, ZHOU Li-mei, WU Su-mei
(Dalian Jiaotong University, Dalian 116028, China )
Abstract: CIA (Cu-In-Al) multilayers were deposited on glass substrates via vacuum evaporation, then the Cu (In Al )Se
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polycrystalline thin films with different Al contents were prepared after vacuum selenylation and annealing processes. By SEM
images and XRD patterns it was fornd that the Al content in the thin films affects their surface morphology and microstructure
to a certain extent. The greater the conte
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