电工电子技术(少学时)教学配套课件罗厚军第5章半导体基本知识new.pdfVIP

第五章 半导体基本知识 第五章 半导体基本知识 目 录 5.1 半导体及其特性 5.2 半导体二极管 5.3 半导体三极管 *5.4 场效应晶体管 本章小结 第五章 半导体基本知识 【本章学习要求】 理论：了解半导体的基本结构及特点，掌 握二极管、三极管及场效应晶体管的特性及应 用。 技能： 掌握用万用表判断二极管、三极管 各电极的方法，会用仪器测量二极管、三极管 的特性曲线。 第五章 半导体基本知识 5.1 半导体及其特性 5.1.1 半导体概述 自然界中存在着许多不同的物质，根据其导电性能的不 同可分为导体、绝缘体和半导体三大类。 半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间，电阻率在 10-3~109 Ω/cm 。例如硅（Si ）、锗（Ge）、硒（Se ）和砷 化镓（GaAs）及其他金属氧化物和硫化物等。 半导体具有的特性为：热敏性、光敏性和杂敏性。 1．热敏性 指半导体的导电能力随着温度的升高而迅速 增加。 2 ．光敏性 指半导体的导电能力随着光照的强弱而有显 著的改变。 3．杂敏性 指半导体的导电能力会因为掺入适量杂质而 发生显著变化。 第五章 半导体基本知识 5.1.2 本征半导体 纯净的不含任何杂质，晶体结构排列整齐的半导体称为 本征半导体。 本征半导体中的价电子可挣脱共价键的束缚而成为带单位 负电荷的自由电子，同时在原来的共价键位置上留下一个相当 于带有单位正电荷电量的空穴。自由电子和空穴在热运动中又 可能重新相遇结合而消失，这种现象叫做复合。 半导体中自由电子和空穴都可以参与导电，因此半导体中 有两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。 5.1.3 杂质半导体 根据掺入杂质的不同，杂质半导体又可分为N型（电子 型）半导体和P型（空穴）半导体。 第五章 半导体基本知识 （1）N型半导体 在本征半导体硅（或锗）中，掺入微量磷（或其他五价元 素）形成的半导体称为N型半导体。由于在N型半导体中自由电 子数目远远大于空穴数，故称这种杂质半导体为电子型半导 体 。 在 N型半导体中自由电子为多数载流子，简称多子；相应 的空穴为少数载流子，简称少子。 N型半导体的形成及结构示意图如图5-1所示。 （2 ）P型半导体 在本征半导体硅（或锗）中，掺入微量硼元素（或其他三 价元素）形成的半导体称为P型半导体。由于在P型半导体中空 穴数目远远大于自由电子数，故称这种杂质半导体为空穴型半 导体 。 在 P型半导体中空穴为多数载流子，简称多子；相应的自由 电子为少数载流子，简称少子。 第五章 半导体基本知识 P型半导体的形成及结构示意图如图5-2所示。 图5-1 N型半导体的形 图5-2 P型半导体的 成及结构示意图 形成及结构示意图 第五章 半导体基本知识 5.2 半导体二极管 5.2.1 PN结的形成及单向导电性 （1）PN结的形成 在本征半导体上通过某种掺杂工艺，使其形成P型区和N型 区两部分，由于P区的多子是空穴，N区的多子是自由电子，因 此在交界处自由电子和空穴都要从高浓度区向低浓度区扩散。 多数载流子在浓度差作用下的定向运动，叫做扩散运动。如图5- 4a所示。多子扩散到对方区域后，使对方区域的多子因复合而 耗尽，于是P区和N区的交界处就会出现数量相等、不能移动的 负离子区和正离子区，这些不能移动的带电离子形成了空间电 荷区，也就是PN结，如图5-4b所示。 空间电荷区靠近P区带负电，靠近N区带正电，因此形成了 一个电场方向由N区指向P区的内建电场，简称内电场。 第五章 半导体基本知识 图5-4 PN结的形成 （2 ）PN结的单向导电特性