电工学下册电子技术教学配套课件艾永乐等第1章常用半导体器件.pdfVIP

第1章 常用半导体器件 1.1 半导体的导电特性 1.2 半导体二极管 1.3 特殊二极管 1.4 晶体管 1.5 场效应晶体管  重点： 1.二极管的导电特性 2.三极管的特性和工作原理 3.场效应管的工作特性 难点： 半导体器件的特性和工作原理 1.1 半导体的导电特性 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分 导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。 半导体的特殊性能： 掺杂性 热敏性 光敏性 1.1 半导体的导电特性 1.本征半导体 本征半导体—— 完全纯净的、不含杂质的半导体。 它在物理结构上呈单晶体形态。 硅晶体的空间排列 1.1 半导体的导电特性 硅和锗的原子结构简化模型及晶体结构 1.1 半导体的导电特性 两种载流子：电子和空穴 空穴——共价键中的空 位。 电子空穴对——由热激发 而产生的自由电子和空穴 对。 1.1 半导体的导电特性 两种载流子－本征激发、复合－动态平衡 1.1 半导体的导电特性 2. N型半导体和P型半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂 质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的 杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半 导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的 半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素（如硼）的 半导体。 1.1 半导体的导电特性 (1) N型半导体 在N型半导体中 自由电子是多数载流子，它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。 1.1 半导体的导电特性 (2) P型半导体 在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂 形成； 自由电子是少数载流子， 由热激发形成。 空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。 因而也称为受主杂质。 1.1 半导体的导电特性 有关概念 • 本征半导体、杂质半导体 • N型半导体、P型半导体 • 自由电子、空穴 • 多数载流子、少数载流子 1.1 半导体的导电特性 3. PN结 PN结合因多子浓度差 多子的扩散 空间电荷区 形成内电场阻止多子扩散，促使少子漂移。 P型半导体 空间电荷区 N型半导体 － － － + + + + － － － － － + + + + － － － － + + + + 1.1 半导体的导电特性 内电场E 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄 P型半导体 耗尽层