检测与转换技术（第３版）课件教学配套课件常健生石要武吉林工业大学主编第08章.pdfVIP

第八章 常用半导体传感器 第一节 霍尔传感器 第二节 气敏传感器 第三节 湿敏传感器 第一节 霍尔传感器 一、工作原理、材料及结构特点 （一）霍尔效应 金属或半导体薄片，若在它的两端通过控制电流I，并在薄片的 垂直方向上施加磁感应强度为B的磁场 ，那么，在垂直于电流和磁场 方向上（即霍尔输出端之间）将产生电动势UH （霍尔电动势或称霍 尔电压）。这种现象称为霍尔效应。 霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果。 相应的电动势就称为霍尔电势UH ，其大小可用下式表示： （二）材料及结构特点 霍尔元件一般采用N型锗、锑化铟和砷化铟等半导体单晶材料制成。 霍尔元件的结构由霍尔片、引线和壳体组成。 （三）基本电路 霍尔元件的基本电路。控制电流由E供给，RP为调节控制电流大小的 调节电阻。R f为一般电阻作为负载电阻，也可以是放大器的输入电阻或 指示器