太阳能电池的应用前景.doc

太阳能电池研究与应用前景 1.太阳能光伏发电原理 1.1光伏发电的过去、现在及未来 1839年, 法国人Edmund Bequerel 发现了光伏效应，到了1954年, 贝尔实验室的Chapin, Fuller and Pearson 制备了世界上第一个效率为6%的晶体硅太阳电池。从此，航天技术和地面特殊领域的需求驱使对光伏有兴趣的学者进行着艰苦的探索，效率很快由当初的6%提高到10%，并于1958年首先在航天器上得到应用。在后来的10多年里，硅太阳电池在空间的应用不断扩大，工艺不断改进，电池设计不断改型，新的光伏材料也在不断探索之中，这是硅太阳电池发展的第一个时期。第二个时期开始于70年代初，在这个时期对太阳电池材料、结构和工艺进行了广泛的研究，背表面电场、细栅金属化、浅结表面扩散和表面构化开始引入到电池的制造工艺中，太阳电池转换效率有了较大提高。与此同时，硅太阳电池开始在地面应用，到了70年代末，地面用太阳电池产量已超过空间电池产量，但单晶硅太阳电池高昂的成本促使科学家们把目光瞄准了其它光伏电池。其间最具影响的是1976年制成了AM1效率达10%的多晶硅太阳电池。同年，RCA’s David Sarnoff Research Center 的光伏专家D.E.Carlson 制成了世界上第一个光电转换效率为2.4%的可供实用的非晶硅太阳电池，在这个消息的鼓舞下，迅速掀起了非晶硅太阳电池的研究热潮，并且取得了很大的成绩,另外CIS/CdS、CdTe/CdS等光伏电池的研究也取得了可喜的成就。进入80年代，硅太阳电池进入快速发展的第三个时期。这个时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电池的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用不断扩大，形成了非晶硅、多晶硅和单晶硅三足鼎立之势。但基础领域的一些问题愈来愈制约着迅猛发展的实践，多线切割技术的发展使人们获得更薄的晶体硅片成为可能，原来的晶体硅太阳电池技术必须做出相应的改变。采用薄的晶体硅片，载流子的表面复合问题就突现了出来；碎片率的上升促使人们得重新设计电极的制备工艺。只有这样，才能保证得到更高的性能价格比。太阳级单晶硅电池的衰减也逐渐显示出来，多晶硅中的晶界效应限制了多晶硅光伏电池效率的进一步提高，多晶硅光伏电池并没有显示出优于单晶硅电池的成本，非晶硅光伏电池中的S—W效应使得首先将这一高技术产业化的公司面临倒闭的危机。进入90年代后，光伏专家们加紧了对缺陷晶体硅中载流子行为的研究，并将高效工艺产业化，努力将这一最具发展前景的太阳电池稳步推向前进。n-p结、肖特基（MS）电池、MIS电池、MINP电池、异质结电池、垂直多结等类型。其中同质结中的钝化发射区电池（PERL），钝化发射区背面整个扩散电池（PERT），刻槽埋栅电池（BCSC），背面点接触电池（PCC），深结局部背场电池（LBSF）等是高效电池的代表。目前世界上太阳电池的实验室效率最高水平：单晶硅电池24.7%（4cm2），多晶硅电池19.8%（4cm2），InGaP/GaAs双结电池30.28%（AM1），非晶硅电池14.5%（初始），12.8%（稳定），CdTe/CdS电池为15.8%，带硅电池14.6%,二氧化钛有机纳米电池10.96%[4]。 经过光伏专家们的辛勤劳动，晶体硅（包括单晶硅和多晶硅）太阳电池的工业化生产效率已从上世纪80年代的10-12%提高到目前的15-17%，单片面积也从当时的78.5cm2增加到243.36 cm2，硅片的厚度也从当时的450um降低到当前的180um,这极大地降低了光伏发电的成本，更为重要的是人们对太阳能成为未来替代能源树立了信心，一些国家和政府相继制定了光伏发电上网的补贴政策， 以加快光伏发电的商业化进 程[5]。 目前，光伏市场上销售的太阳电池主要是基于片状硅的第一代太阳电池，包括单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池；基于非晶硅及多晶化合物半导体的第二代太阳电池约占市场份额不足整个光伏市场的10%，包括非晶硅、CIS、 CdTe 、纳米氧化钛染料电池及多晶硅薄膜太阳电池。在第二代太阳电池中,a-Si:H太阳电池存在衰减，CIS太阳电池在制造上存在难题，CdTe太阳电池对环境有害，纳米氧化钛染料电池的发展还不明朗，因此人们普遍认为第一代太阳电池将会在很长的一段时间里是太阳能光伏发电的主力。 历史进入二十一世纪，环境污染和能源短缺迫人们寻找可持续发展且清洁的能源发展方向，最有效的行动就是采用清洁的可再生能源技术替代常规化石燃料能源技术。从上世纪70年代地面应用开始，美国就先后制定了一系列鼓励光伏发电应用政策；1974年日本开始执行阳光计划，颁布了相应的鼓励政策。此后许多国家，先后颁布了几十