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室温固相合成In2O3及其气敏性能研究.pdf
第17卷第2期 无机材料学报 、f01l?No2
2002年3月 Journalof Materials Mar2002
Inorganic
文章编号:i000·324X(2002)02—0367—04
室温固相合成In203及其气敏性能研究
徐甲强1,刘艳丽2,牛新书2
(1.郑州轻工业学院化学工程系,郑州450002;2.河南师范大学化学与环境科学学
院,河南新}453002)
摘 要:以无机物InCl34H20和NaOH为原料,在遵守热力学限制的前提下,用室温固相
化学反应直接合成了半导体金属氧化物ln20a的纳米粉体.用x射线衍射技术和透射电子显
微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察,并用静态配气法测定丁材料的气敏性能.
关键词:三氧化二铟;气敏材料;室温;固相化学反应
304
中图分类号:TN 文献标识码:A
1引言
J.其
后有不少人进行气敏效应的研究.到如今,半导体气敏传感器已发展成一大体系研究表
明,粒径在l~lOOnm范围内的纳米粒子具有比表面积大、表面活性高及与气体作用强等特
点,能显著提高材料的气敏性能【““,因此近年来开发出许多制备纳米材料的方法同相化
学反应是人类最早利用的化学合成方法之一,但一直未引起重视.在人类进入二十一世纪
的今天,对材料制备提出了绿色化、清洁化生产的要求,因此,许多化学家将目光又投向了
固相化学反应法,使固相合成化学成为化学合成的重要组成部分,而应节能的要求,科研
工作者又提出了室温固相化学反应∽本文工作系采用室温固相反应法合成了金属氧化物
半导体In203,对其结构进行了表征.并对其气敏性能进行了研究.
2实验部分
2.1实验原理
固相化学反应能否进行,取决于固体反应物的结构和热力学函数.所有固相化学反应和
溶液中的化学反应一样,必须遵守热力学的限制,即整个反应的吉布斯函数改变小于零,在
满足热力学条件下,固体反应物的结构成了固相反应进行速率的决定性因素【6J与液相反
应一样,固相反应的发生起始于两个反应物分子的扩散接触,接着发生化学反应,生成产
物分子,其条件在于反应的引发、反应持续进行所必备的条件.室温下,充分的研磨小仅使
反应的固体颗粒直径减小以充分接触,而且也提供了反应进行的微茸引发热量,当反应引
0617
收辅日期:200104—05,收到修改穑日期:2001
基盘项目:河南省自然科学基宝(004031300)
com
E—mail:jqxu@126
作者简升:徐甲强(1963),男,硕士.教授
万方数据
无机材料学报 17卷
此,固相反应大多是放热反应,这些热使反应物分子相结合,提供了反应中的成核条件,
在受热条件下,原子成核,结晶,并形成颗粒.
2.2实验制备
所用试剂均为分析纯.称取一定量的InCl33H20和NaOH(摩尔比为1.3)于玛瑙研钵
中,充分混合后,研磨至反应完全,洗涤,烘干,600。C煅烧lh,研磨,得目标产物
2.3气敏元件的制作与气敏性能的测试
气敏元件按传统方式制成烧结型旁热式结构n烧结条件为600。Cxlt-,
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