SPC在双极型模拟工艺线的控制探究.pdfVIP

SPC在双极型模拟工艺线的控制研究 曾莉 (信息产业部电子24所邮编400060) 贾新章 (西安电子科技大学西安710071) 搐 要：本文对双投型模拟集成电路工艺控制技术(SPC)及其在工艺流水线上的研制和运用进行详细 的阐述对SPC的研究及运用中遇到的问题和好处一起作了详细的讨论。已建立起关键工艺的实用性工 艺模型。通过对SPC的研究，使产品质量的可靠性和稳定性得至0提高。并阐明由于双极型模拟集成电 路工艺的相关性使SIC不能孤立使用，而且对工艺SPC的研究是一。个长期持久的工作．只有不断努 力。才能使工艺真正处于受控状态。 关麓词：可靠性工艺过程控制(SPC)统计分析质量控制图 l引言 随着VISI产品质量和可靠性的不断提高，人们认识到，常规的事后检验已不满足工艺研制和生产 控制的要求，保证质量的有效途径是在工艺过程中建立一种预防性方法．保证工艺过程始终处于统计 受控状态，将质量建立在产品的内部。因此，从80年代中期开始，一些徽电路生产厂家在“事后检 测”的基础上，发展了以“事前预防”为特征的SPC技术，井在世界范围的微电路生产中逐步得到广 泛应用。本文以我所双极模拟集成电路生产线为基础，进行双授型模拟集成电路工艺线的SPC技术研 究。现将我们开展的工作及取得的成果作具体介绍。 2 SPC控制圈原理 SPC的基本含义是：利用数理统计分析理论，对连续采集的多批工艺参数数据进行定量的统计分 析，对t艺过程达到的能力水平以及是否处于统计受控状态作出定量结论。当出现能力下降、工艺失 控或有失控倾向时，立即发出警报，以便即时查找原因，采取纠芷措施，使工艺过程一鸯处于统计受 控状态。 建立SPC体系，应用SPC技术，除要解决一系列技术问题外，还包括：领导者的责任与承诺、 质量保证大纲的制订、培训等管理工作，以及计量、维修、原材料采购等配套工作。下面仅讨论推广 应用SPC中的技术问题。图1是实施SIC的基本技术流程。 由图可见，SPC技术主要包括下述4方面工作： (1)关键工艺过程节点及其关键工艺参数的确定(含工序鸵力分析)。 (2)工艺参数数据采集。 (3)工艺受控状态定量分析。 (4)控制技术。 -549． 图1 SPC的技术流程 3 SPC技术的应用 3．1确定关4t．r-艺点 通过分析所选定的取极型模拟集成电路生产线上典型产品的工艺投片、筛选和考核数据，确定主 要研究的关键工序是硼扩散。 3．2工艺模型的走立 在硼扩散再分布工艺中，可改变的条件很多。根据工艺生产线的实际情况，温度以及总扩散时问 固定不变，在再分布中．可控制的条件是再扩开始时的干氧时间。另外由于预扩方块电阻对再扩结果 影响很大，也应取为一个自变量。这样在模型中，共有两个自变量，分别是预扩方块电阻和再分布开 始时的干氧时间。响应变量是再分布后的方块电阻。为建立工艺模型，我们利正交试验法设计了工艺 试验方案，采集了58批工艺试验数据．采用=阶模型和最小=乘法求得回归系数．得出回归方程为： y=56．434+2，056xv,O．068x2-0．0 lxl‘+0．398x2‘-0．099xtxz y为再扩后方块电阻，x1为预扩散方块电阻，X2为在分布的扩散时间。 ．550． 3．3 关●E工艺参数的采集 1)工艺检测图形(PCM图)的设计 根据典型产品的结构特点和双极型模拟集成电路的工艺特点，设计了硼扩散工艺工艺参数检测用 评估电路，评估电路的结构为希腊十字结构。 2)工艺检测图形的制作 工艺参数提取用工艺检测图形的工艺流程完全执行所选定的典型代表品种实际工艺流程与条件． 能充分代表典型产品的实际工艺状况。主要工艺流程为： P型(100／材料片一氧化一光刻一锑埋一光刻一硼埋一背面腐蚀一外延一氧化一光刻一穿透一光 刘一高硼一光刻一低硼一光刻一磷扩一光刻一蒸铝一光刻一台金一钝化一光刻