一、单项选择题（共20分,每小题2分）.doc

一、单项选择题（共20分，每小题2分） 1. N型半导体中多数载流子是（　），P型半导体中多数载流子是（　）。 A.空穴 B.自由电子 C.正离子 D.负离子 2．在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少子的浓度则受（　）的影响很大。 A．温度 B．晶体缺陷 C．掺杂工艺 D．掺杂浓度 3. 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为12V，11.7V，6V，则这个三极管为（　）。 A.NPN硅管 B.NPN锗管 C.PNP硅管 D.PNP锗管 4. 场效应管是一种 控制的 。 A.电流 B.电压 C.电流源 D.电压源 5. 为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用 。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路 6. 选用差动放大电路的主要原因是（　）。 A．减小温漂　B．提高输入电阻　C．稳定放大倍数　D．减小失真 7. 为了抑制2kHZ以下的信号，应采用 A.带通 B低通 C带阻 D高通1 B.2 C.3 D.4 二、判断题 (共10分，每小题1分) 1. 因为型半导体的多子是，所以它带电。（ ）只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高，就一定会产生正弦波振荡。（　　） 8. 当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。（　） 9. 功率放大电路的最大输出功率是指电源提供的最大功率电路如图所示RB=300kΩ，RC=3kΩ，RE=1kΩ，RL=3kΩ，RS=2kΩ，VCC=12V，晶体管的=60，rbb′ =100ΩUBE=0.7V。 （1）求解Q点求输入电阻Ri、输出电阻Ro和电压放大倍数； （）设U=10mV（有效值），问：Ui=？Uo=？ 图，，R1上的压降可以忽略不计，UBE=0.7V。 （1）计算静态时IC1、IC2、UC1和UC2的值； （2）计算电路的Aud、Rid和Rod。。 图2 五、（15分） 分析图所示电路，说明电路中有那些级间交、直流反馈？各是什么极性、类型？起什么作用？并计算电路的闭环电压放大倍数。 图 （1）说明A1、A2、A3各组成什么运算电路； （2）写出 Uo1 Uo2 Uo 与 Ui1, Ui2, Ui3 的关系式。 图4 七、（共12分） 分析如图5所示电路中如何联接才能产生正弦波振荡。电路联接好后，（1）若，，，求(1)电路的振荡频率。（2）如果短路，估算振荡频率。 图 5 1