张兴高等电力电子技术_第1章__电力电子半导体器件.pdf

高 等 电 力 电 子 技 术 Advanced Power Electronics 高 等 电 力 电 子 技 术 第一章 电力电子半导体器件 基本内容 1 电力电子器件发展概述 2 功率MOSFET 3 绝缘栅双极型晶体管 4 集成门极换向晶闸管的结构与工作原理 5 电力电子器件新材料 6 电力电子集成技术 高 等 电 力 电 子 技 术 1.1 电力电子器件发展概述 自从1957年底第一代晶闸管SCR面世以来，电力电子半导体器件发 展迅猛。直到1970年，普通晶闸管开始在工业应用中大量用于电力控制。 1970年后，各种类型的电力电子半导体器件相继出现并逐步商业化。其 中，碳化硅器件正在迅速发展中，而绝大部分实际工业应用的器件都是 用硅材料制作的。 这些器件大致可以分为三类：①功率二极管，②晶闸管，和③晶体 管[1]。随着电力电子器件的应用范围扩大和应用场合要求的提升，对器 件的发展要求也越来越提高，包括①更高的功率容量，②更低的开关损 耗，③更高的开关频率，④更紧凑的封装体积，⑤集成以及模块化设计。 大多在电力电子器件上应用的新技术都是围绕这几点发展方向来展开的。 高 等 电 力 电 子 技 术 1.1 电力电子器件发展概述 电力电子半导体器件应用功率等级分布 电力电子半导体器件应用频率分布 高 等 电 力 电 子 技 术 1.1.2 晶闸管 常规应用的晶闸管大致有以下几类：①强迫换流晶闸管，②门关断 晶闸管，③反相导通晶闸管（RCT），④静态导通晶闸管(SITH)，⑤光 触发硅控整流器 (LASCR)， ⑥MOS关断（MTO）晶闸管，⑦集成门极 换流晶闸管（IGCT）和对称门极换流晶闸管（SGCT ）。 晶闸管的发展方向同样是增加单管的功率容量，同时增加对器件开 关的控制度，这一点在IGCT和SGCT 以及光触发晶闸管的大量使用中可 以很明显的体现。 IGCT和SGCT是将GTO芯片和门极驱动电路集成在一起，再与其门 极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管和晶闸管两种器件的 优点。传统GTO器件很难关断，必须在门极加一个约为器件额定电流1/3 的驱动电流，并在1内将阴极所有的电流抽出，才能确保其快速关断。而 IGCT关断则是一个很快的瞬态过程，器件完全按晶体管模式关断，从而 保证了完全受控的均匀关断，广泛应用于大功率电流型变流器以及变频 器上。 高 等 电 力 电 子 技 术 1.1.3 电力晶体管 电力晶体管有四种类型：①BJT，②电力MOSFET，③IGBT和④ SIT。其中IGBT和电力MOSFET是最为广泛应用的电力电子器件，大到 直流输电，小到生活中的各种家用电器，到处都可以见到这两种器件的 身影。由于这两种器件主要应用于中等功率场合，相对于功率容量的提 升，各家器件公司主要将发展和竞争重点放在损耗的降低上，纷纷推出 新一代的IGBT和MOSFET器件，其中较为典型的技术优化为沟槽型门极 结构和垂直导电技术的广泛应用， IGBT方面还有场终止技术、空穴阻抗 技术等，功率MOSFET方面的典型代表则为“超级结”技术。新的半导 体材料在这两种器件上的应用则基本停留在实验室阶段。 高 等 电 力 电 子 技