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一种新型的单晶硅扭振式谐振器的初步研究 藿彬 黄庆宜 尔南大学微电子中心210096 卒拂晓 林金庭 南京也子器件研究所210016 摘要：本文从可行性的f『J应山发介l“，一种微电子机械系统(MEMS)ig振器的新结构。它 lij，卜j；；；、；，，、，． 利用单晶硅作为扭摆式振动轴进行谐振。E要特点枉fr波计方法撤人地降低了结构平II材料 的应力因素对频率和品质因子Q的影响．水文川Algor软什对其结构进行了分析，井提出 了一种与集成电路(IC)I：艺兼容的制作流“。 关键词：i睁振器．柑振轴 一． 前言 以si为材料制作出的谐振器¨jI什频 率选择性好、损耗低以及高度稳定性等特点。 以多晶硅为材料制作的梳状谐振器们|，岂完 全可以和IcI：艺兼容．，r且其对称li}置折合 支撑粱的结构很人程度得地降低j‘结f4府 力．但是却不能避免材料庸力本身对器州：频 率、Q以及能丰E的负面影响I|一I。单品砰f1： 为MEMS器制：材料帕优点iM‘4就已为f^识 Ⅲ。直接采埘单品硅制作的谐振器什W减少 材料应力的影响。世拦川单品硅制作特振器 l割I甜i摆式谐振器的结构示意图 J二。 燎于实现和LU路集成往一块芯，t iⅡ以和ICI‘艺兼容，能句#实珧单片系统。 二． 谐振矗的结构、T作原理 此谐振器的振动方式采川怪轴}|【转振础，}^}目示意幽如|呈|I所示。r部是一个横截面为“{，～i 10的扭摆振动轴．是单品硅利料，住它的Lifij是川J：换能机制的摆动梁。圭Il振轴或摆动粱，在x，，‘≯怀 轴的四个方向上．其儿阿尺寸完全柏删。’_{r输八信号lb流时．在输八Lb极与摆动桨之间形成L乜场力F (1,t)．形式如F： ㈩ 肌一掣{揣+揣[J11≮茅州志，]} 式中，￡是电容介盾常数．优山8．85*10。二Ftm． v．匙输入的信弓LPJi．．a(t)是电极与摆动粱之州蚋趴 离．本式中取J(，)=o 一_—r了r————————飞可丽疆围FZ————■■一～ 摆动粱与电极的交叠K座．花括号中的．I亓一个阅子拦边缘效应的影响闪素·．，1(蒜)地经验函数t其q r．州振轴发生{!li摆振动。 th是电容厚度。在F作HJ 为了使信号保持较好的线性传输。篮求摆动粱亡I山端的振动幅度小丁Il土弈间距的10％。，“生振动 后．输出端的摆动粱与电极之间的l乜容也发生变化，产生输出电流l。： ，：V丝堕 (2) ‘“ ”j 86eI H』J．i咀过加 式中v。是输出振动梁与Lb极之间的直流偏坻。从式中可以看出输出叱流与V，早线性戈系t 人V。可咀提高输出电流密度。 从其工作原理_J以看山发生谐振时，要求jJ有捕振轴发生甜l转变形．而摆动桨相对其而言是刚体。 为提高频率．需要缩短摆动桀的欧度以碱小其转动惯培．同时鉴r静电力铰4、，故采H{二支摆动梁作为 施力的输入端．义发生振动时．闲为力天丁}}i振轴线